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韦晓莹

作品数:16 被引量:12H指数:2
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金天津市科技计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇氧化钒
  • 6篇氧化钒薄膜
  • 5篇存储器
  • 4篇调制
  • 3篇电路
  • 3篇亚胺
  • 3篇太赫兹
  • 3篇太赫兹波
  • 3篇酰亚胺
  • 3篇聚酰亚胺
  • 3篇集成电路
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路工艺
  • 2篇电阻
  • 2篇调制器
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇多孔
  • 2篇氧化铪
  • 2篇抛光速率

机构

  • 9篇天津理工大学
  • 8篇天津大学

作者

  • 16篇韦晓莹
  • 8篇张楷亮
  • 7篇王芳
  • 7篇胡明
  • 5篇武雅乔
  • 4篇夏晓旭
  • 4篇赵金石
  • 2篇杜明月
  • 2篇孙阔
  • 2篇孙文翔
  • 2篇陆涛
  • 2篇苗银萍
  • 2篇尹立国
  • 2篇王宝林
  • 2篇马双云
  • 2篇冯玉林
  • 1篇王麒
  • 1篇曲长庆
  • 1篇武长强
  • 1篇梁继然

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2011
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法
本发明公开了一种多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法,采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层,利用水热法在多孔硅上原位生长氧化钨纳米棒,制得复合结构的多孔硅基三氧化钨纳米棒,...
胡明武雅乔韦晓莹马双云杜明月
文献传递
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器,其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成,器件单元为三明治结构,阻变存储层位于底电极和顶电极之间,阻变存储层采用氧化钒薄膜,氧化钒成分为VO<Sub>x</Sub>,其中0.5<X<2....
张楷亮韦晓莹王芳曲长庆
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一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法,由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成,其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构;其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔韦晓莹王宝林冯玉林赵金石
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多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法
本发明公开了一种多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法,采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层,再利用蒸发法在多孔硅上原位生长二氧化碲纳米棒,制得复合结构的多孔硅基二氧化碲纳米...
胡明武雅乔韦晓莹马双云杜明月
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基于柔性基底具有相变特性纳米氧化钒功能薄膜的制备方法
本发明公开了一种基于柔性基底具有相变特性纳米氧化钒功能薄膜的制备方法,首先清洗柔性基底PI,即聚酰亚胺,再采用金属钒作为靶材,以氩气作为工作气体,通过超高真空对靶磁控溅射设备在PI表面沉积金属钒纳米薄膜,再将该金属钒纳米...
胡明韦晓莹武雅乔夏晓旭朱乃伟
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器,包括底电极、顶电极和电阻转变层,电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜,掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间,掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜,掺杂金属薄膜设置于...
张楷亮韦晓莹王麒赵金石
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一种柔性太赫兹波调制器
本发明公开了一种柔性太赫兹波调制器,包括介质基板(1)和附着于介质基板(1)表面的电磁共振器阵列(2),所述的介质基板(1)为柔性介质材料聚酰亚胺,简称PI;所述的电磁共振器阵列(2)由多个电磁共振器单元构成,该电磁共振...
胡明韦晓莹武雅乔夏晓旭朱乃伟
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氧化钒薄膜的制备及电致开关特性的研究被引量:4
2011年
采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒(VOx)薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理。采用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试,并利用导电原子力显微镜(CAFM)对VOx薄膜的导电机制进行了探索。测试结果表明,VOx薄膜在Cu/Ti/SiO2/Si衬底取向生长,并且是以V2O5为主的V6O13和V2O5的混合物,薄膜表面颗粒大小均匀(30~40 nm),粗糙度为2.4 nm。电学测试结果表明薄膜具有较低(Vset=0.72 V,Vreset=0.39 V)的开关电压,开关电阻的转变倍率约3个数量级,经CAFM测试发现,VOx薄膜导电态中有导电细丝,结合VOx/Cu界面态及Cu离子快扩散特性,认为VOx薄膜导电态主要是Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝所致。
张楷亮韦晓莹王芳武长强赵金石
氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制被引量:2
2014年
采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜,然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热处理时间对薄膜性能的影响,薄膜的结晶状况用X射线衍射(XRD)进行分析;利用THz时域频谱系统,观测薄膜在不同激励光功率下的相变特性及其对THz波的调制作用。结果表明,在570℃条件下快速热处理60s所制得的VOx薄膜性能最佳,薄膜对THz波透过性最好,光激励后对THz波的调制作用最大,调制幅度达到83.9%,且引发相变的功率阈值低。
夏晓旭胡明朱乃伟梁继然韦晓莹
关键词:VOX光激励
一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液,由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂组成,纳米研磨料为氧化锆、氧化钛、氧化钸或二氧化硅,pH调节剂包括无机碱为KOH和有机碱四甲基氢氧化铵、四乙基氢...
张楷亮尹立国王芳韦晓莹苗银萍
文献传递
共2页<12>
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