黄莉萍
- 作品数：59 被引量：611H指数：14
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信冶金工程更多>>
- 粒子弥散强化氮化硅基陶瓷被引量：2
- 1996年
- 运用晶界工程理论,选择能形成高耐火度晶界相的Y_2O_3(氧化钇)和La_2O_3(氧化镧)双稀土氧化物为Si_3N_4陶瓷烧结助剂,材料具有优异的高温强度.第二相碳化硅粒子的引入有效地改善了氮化硅陶瓷的显微结构和力学性能.以无压烧结工艺制备的高性能α/β-Sialon复相陶瓷等在实际应用中获得良好效果.
- 黄莉萍陈源孙兴伟葛其明
- 关键词：碳化硅氮化硅陶瓷复合陶瓷
- 全文增补中
- 半导体集成电路用表面钝化膜的研究被引量：7
- 2002年
- 对于高性能高可靠性集成电路来说 ,表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜 (SiO2 、Al2 O3 和Si3 N4)的特点 ,并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料 ,发展低温的热化学气相沉积 (CVD)工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势 ,而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源、氮源前驱体是解决这一难题的有效方法 ,并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述。
- 刘学建张俊计孙兴伟蒲锡鹏黄莉萍
- 关键词：半导体集成电路氮化硅CVD陶瓷薄膜
- Nd:YAG透明陶瓷的烧成及其显微结构被引量：9
- 2005年
- 由溶胶凝胶/燃烧合成结合法合成了Nd∶YAG(掺钕钇铝石榴石,neodymium dopedyttriumaluminiumgarnet)粉体,用真空烧结法制备了Nd∶YAG透明陶瓷。研究了显微结构随烧结温度和保温时间的变化,并对透明陶瓷的晶界结构和成分分布进行了表征。随着烧结温度的提高和保温时间的延长,Nd∶YAG陶瓷的密度增大,晶形发育完整,透过率提高。晶粒内部和晶界的化学组成基本相同。所制备的Nd∶YAG透明陶瓷在激光工作波长1064nm的透过率达到75%。
- 张俊计黄莉萍徐军
- 关键词：透明陶瓷显微结构
- 低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌被引量：10
- 2004年
- 以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.
- 刘学建金承钰张俊计黄智勇黄莉萍
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜沉积速率表面形貌
- 起始原料对氨化铝粉末合成的影响被引量：9
- 1994年
- 本文用碳还原法合成氮化铝粉末，通过对使用不同起始原料，如活性碳、碳黑、α－Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ（ＯＨ）３等合成的氢化铝粉末性质的比较，发现活性碳和Ａｌ（ＯＨ）３有助于加快反应速率，提高产物氮含量．另外发现α－Ａｌ２Ｏ３－活性碳系统中添加少量的氟化物具有催化功效，可在１６５０℃保温５ｈ条件下获得氮含量达３３．５４％的ＡＩＮ粉末．本文还对ＡｌＮ生成机理作了一定探讨．
- 蒋薪黄莉萍李虹孙兴伟符锡仁
- 关键词：氮化铝粉末陶瓷
- 添加Mg-Al-Si体系烧结助剂的氮化硅陶瓷的无压烧结被引量：16
- 2004年
- 以MgO-Al2O3-SiO2体系作为烧结助剂,研究了氮化硅陶瓷的无压烧结。着重考察了烧结温度、保温时间以及烧结助剂用量等工艺因素对氮化硅陶瓷材料力学性能和显微结构的影响,通过工艺调整来设计材料微观结构以提高材料的力学性能。在烧结助剂质量分数为3.2％的情况下,经1 780℃,3 h无压烧结,氮化硅大都呈现长柱状β-Si3N4晶粒,具有较大的长径比,显微结构均匀。样品的相对密度达99%,抗弯强度为956.8 MPa,硬度HRA为93,断裂韧性为6.1 MPa·m1/3。具有较大长径比晶粒构成的显微结构是该材料表现较高力学性能的原因。
- 黄智勇刘学建黄莉萍张培志陈晓阳
- 关键词：氮化硅力学性能显微结构无压烧结
- 纳米SiC－Si_3N_4复合粉体制备材料的显微结构被引量：12
- 1995年
- 以自制的纳米ＳｉＣ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合粉体为原料，用气压烧结的方法制备陶瓷复合材料。对此材料用ＴＥＭ和ＨＲＥＭ电镜显微分析的结果发现两种不同的显微结构：纳米－微米结构和亚微米－微米结构。对两种结构的形成机理作了初步的探讨。
- 李虹黄莉萍蒋薪陈源孙兴伟
- 关键词：氮化硅碳化硅显微结构纳米复合粉体
- 高固含量氮化硅浆料的制备工艺被引量：9
- 1999年
- 本文通过沉降、Ｚｅｔａ电位的测定以及流变测量的方法研究了制备高固体含量氮化硅浆料的工艺条件，结果发现：Ｓｉ３Ｎ４悬浮粒子的等电点在ｐＨ＝４．２，其最大的Ｚｅｔａ电位在ｐＨ＝１１附近。分散剂的引入有效地提高悬浮粒子的Ｚｅｔａ电位，改善浆料的分散性，最佳分散剂用量在１．０－１．２ｗｔ％之间。并且，最佳分散剂的用量不随浆料固含量的变化而改变。球磨８ｈ已能获得较好的流动性，进一步延长球磨时间并不能有效的改善浆料的流动性，过长时间的球磨反而不利于浆料的流动。
- 刘学健黄莉萍符锡仁古宏晨
- 关键词：氮化硅浆料陶瓷
- 陶瓷成型方法研究进展被引量：56
- 1999年
- 成型技术是制备陶瓷材料的一个重要环节。本文简单回顾了陶瓷成型方法的发展历程 ,着重综述了 90年代产生的几种新的成型技术 ,最后展望了陶瓷成型方法的发展趋势。
- 刘学建黄莉萍古宏晨符锡仁
- 关键词：陶瓷
- 无压烧结氮化硅陶瓷的力学性能和显微结构被引量：10
- 2004年
- 以MgO-Al2O3-SiO2为烧结助剂,借助XRD、SEM、TEM、EDS、HRTEM等手段,研究了无压烧结氮化硅陶瓷材料的力学性能和显微结构,着重探讨了材料制备工艺、力学性能和显微结构之间的关系,通过调整制备工艺改善材料微观结构以提高材料的力学性能.强化球磨混合的试样经1780℃无压烧结3h后,抗折强度高达1.06GPa,洛氏硬度92,显微硬度14.2GPa,断裂韧性6.6MPa·m0.5.材料由长柱状β-Si3N4晶粒组成,晶粒具有较大的长径比,长柱晶的近圆晶粒尺寸0.3-0.8μm,长度3-6μm,长径比约7-10,显微结构均匀.
- 刘学建黄智勇黄莉萍张培志陈晓阳
- 关键词：氮化硅无压烧结力学性能显微结构
