李志宏 作品数:31 被引量:125 H指数:6 供职机构: 北京大学信息科学技术学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 北京市自然科学基金 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 机械工程 一般工业技术 更多>>
基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术 被引量:8 2006年 针对MEMS(micro electro mechanicalsystem)和NEMS(nano electro mechanicalsystem)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术,使用自行搭建的准纳米光学干涉测试系统,利用局部基底弯曲来检测薄膜的内应力.该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了其系统误差.使用ANSYS对测试结构进行了模拟和优化,对于30nm厚的薄膜,应力检测的分辨率为1.5MPa,优于目前国际上的相关报道.本测试结构使用各向异性腐蚀和DRIE(deepreactiveionetching)完成,加工工艺简单实用.文中使用该测试技术对常用MEMS薄膜的残余应力进行了测量,结果与其他测试方法得到的结果基本一致,测量重复性优于1%.该技术可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力. 王莎莎 陈兢 栗大超 黄玉波 李志宏关键词:微机械系统 内应力 二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀及其在硅纳米针尖制备中的应用(英文) 被引量:2 2009年 系统地研究了硅衬底上二氧化硅纳米颗粒的反应离子刻蚀(R IE)过程,并在此基础上制备了可用于场发射的硅纳米针尖阵列.首先,采用改进的蒸发法在硅衬底上实现二氧化硅纳米颗粒的单层密排结构,再采用典型的刻蚀二氧化硅的R IE技术同时刻蚀硅衬底和二氧化硅纳米颗粒,在对纳米颗粒尺寸随刻蚀进行而改变的电镜照片分析的基础上,获得了相应的二氧化硅纳米颗粒刻蚀模型,计算得到横向和纵向的刻蚀速率;当刻蚀后的二氧化硅纳米颗粒从衬底上脱落后,进一步对硅衬底的刻蚀可以得到锐利的硅纳米针尖阵列,初步的实验结果表明,所制备的硅纳米针尖具有较好的场发射特性. 赵瑜 江洵 李成垚 王玮 高旻 李志宏关键词:反应离子刻蚀 PECVD SiC材料刻蚀技术 2006年 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在. 陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇关键词:PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 氢含量 功率 改进的电迁移独立失效元模型 1996年 当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷.本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设,对其进行了一些改进.主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元,并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关.对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实. 李志宏 顾页 武国英 王阳元关键词:电迁移 VLSI 互连线 利用无电镀金实现微结构金属化的技术 2007年 无电镀是金属化的一种重要手段,具有成本低、保形性好、简单易操作等特点.在以前报道的MEMS结构无电镀金属化过程中,金属和硅结构会全部被金属化,难以形成复杂结构的局部选择性金属化.为此,采用一种商用无氰配方无电镀金溶液,通过两步无电镀方法,控制实验样品的激活时间、水浴温度等条件和两步镀覆的时间,使用无电镀镍作为中间层,实现了在特定材料层上的无电镀金;其针孔密度低,表面平整度较好,具有高的选择性,为高性能器件的研制打下了基础. 杨波 李志宏关键词:选择性 金属化 无氰镀液 一种用于差分电容检测的电荷Delta-Sigma调制器的研究 被引量:4 2006年 研究一种用于差分电容传感器检测的电荷Delta-Sigma调制器结构.在该检测电路中不需要C/V转换电路,待检测的差分电容直接作为调制器环路的输入电容,差分电容的变化量首先被转换为变化的电荷,然后被调制成一位的数字输出信号.文章最后给出了一个二阶的Delta-Sigma调制器的行为级仿真结果. 王展飞 李志宏关键词:电容检测 DELTA-SIGMA 电容传感器 SiC薄膜制备MEMS结构 本文采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐... 王煜 郭辉 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏关键词:SIC薄膜 MEMS 谐振器 文献传递 基于MEMS微电极芯片的电穿孔系统 2012年 报道了一种基于微加工金电极的细胞电穿孔芯片及一套完整的细胞电穿孔系统。该系统能够在多种细胞系中实现高效细胞电穿孔(对典型HEK-293A(人胚胎肾细胞)细胞的穿孔效率高于90%,3T3-L1(小鼠胚胎成纤维细胞)的电穿孔效率高达80%)。并且具有手动模式和自动模式。同时,由于基于独特的电极设计,其所需电压也远低于现有设备(典型工作电压为60 V),成本更低,操作更安全。 闫浩 魏泽文 李学明 赵德尧 梁子才 李志宏关键词:微加工 低电压 MEMS振动陀螺闭环自激驱动的理论分析及数值仿真 被引量:22 2008年 对采用AGC(automatic gain control)控制实现的陀螺闭环自激驱动系统进行了理论分析,利用平均技术和相平面法求解出了MEMS振动陀螺闭环自激驱动系统的起振条件以及幅度稳定条件的解析表达式,并进行了数值仿真验证。在该闭环驱动系统中,通过引入PI控制器消除了振动幅度控制的稳态误差。仿真结果很好地吻合了理论分析,理论分析结果可用于指导自激驱动系统的硬件实现。 王展飞 鲁文高 李峰 李志宏关键词:自激振荡 MEMS陀螺 AGC PI控制 一种频率线性可调的正交正弦波振荡器 被引量:2 2009年 设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm 2P3M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在5 V电源电压下振荡频率在180 KHz^1.2 MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。 王展飞 鲁文高 李峰 李志宏关键词:振荡器 VCO 正弦波发生器 频率可调