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王娜

作品数：9 被引量：21H指数：2
供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
相关领域：电子电信轻工技术与工程矿业工程建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇矿业工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 4篇砷化镓
  • 4篇半绝缘
  • 4篇半绝缘砷化镓
  • 3篇大直径
  • 3篇SI-GAA...
  • 2篇退火
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 2篇离子注入
  • 2篇晶体
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电参数
  • 1篇电特性
  • 1篇有机胺
  • 1篇糖醇
  • 1篇体缺陷
  • 1篇退火温度
  • 1篇抛光速率
  • 1篇平坦化

机构

  • 9篇河北工业大学
  • 1篇华润集团有限...

作者

  • 9篇王娜
  • 3篇郝秋艳
  • 3篇刘彩池
  • 3篇孙卫忠
  • 2篇刘玉岭
  • 2篇高净
  • 2篇沈彩萍
  • 2篇孙鸣
  • 2篇杨立兵
  • 2篇王丽华
  • 1篇张东岭
  • 1篇梁金生
  • 1篇梁广川
  • 1篇王胜利
  • 1篇王辰伟
  • 1篇邢哲
  • 1篇潘国峰
  • 1篇汤庆国
  • 1篇刘利宾
  • 1篇刘红艳

传媒

  • 2篇现代仪器
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇食品科技
  • 1篇非金属矿
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2011
  • 2篇2009
  • 4篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
2008年
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅，砷沉淀数量增加；真空条件下，高于1100℃热处理后，砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化，本文对其机理进行探讨。
刘红艳孙卫忠王娜郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
2008年
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。
王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
2009年
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。
孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓EL2红外光谱分析
离子注入对大直径SI-GaAs晶体缺陷及电学性能的影响
近年来,微电子、光电子技术的迅猛发展,特别是GaAs集成电路/(GaAsIC/)市场的日益增加,要求提高半绝缘GaAs/(SI-GaAs/)衬底的质量和离子注入工艺技术水平以适应市场的需求。采用离子注入大直径LEC SI...
王娜
关键词：离子注入电参数
文献传递
半导体器件硅衬底化学机械平坦化研究被引量：1
2011年
主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除速率的影响,得出活性剂体积分数对去除速率的影响最大,并且研究出去除速率最快的抛光液的最优配比,去除速率可以达1 410nm/min。同时平坦化后的硅衬底具有良好的表面状态:表面粗糙度仅为0.469nm,表面总厚度变化小于工业标准指标5μm。在考虑工艺影响的情况下,硅衬底制造双极型晶体管的成品率达到90%以上,满足工业成品率要求。
杨立兵王胜利邢哲孙鸣王辰伟王娜
关键词：抛光液分立器件
有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响
2011年
硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定。
王娜刘玉岭孙鸣杨立兵高净刘利宾
关键词：硅单晶片抛光液抛光速率表面粗糙度
改性凹凸棒石对棕榈油的脱色研究被引量：13
2008年
针对泰国棕榈油的脱色难题,通过酸活化、焙烧活化及表面活性剂改性处理制备凹凸棒石脱色剂。最佳制备条件为,用浓度为5%的硫酸酸化,焙烧温度为400℃,脱色剂粒径在200目以下,脱色率达到96.95%,经过表面改性剂改性处理后脱色率有所提高,可达到99.7%。通过X射线衍射、红外光谱分析和接触角等测试手段,研究了凹凸棒石吸附脱色机理。酸活化、焙烧活化及表面活性剂改性处理改变了凹凸棒石的晶体结构、表面官能团及表面自由能。
沈彩萍汤庆国梁金生王娜李立伟
关键词：凹凸棒石改性脱色
ZnO掺杂TiO_2厚膜的sol-gel法制备及气敏特性研究被引量：1
2011年
利用钛酸丁酯与无水乙醇的水解反应制备了纳米TiO2厚膜,并对其进行了不同含量的ZnO掺杂和不同温度的退火。通过XRD和SEM对所制备的ZnO-TiO2纳米粉的物相结构和表面微观形貌进行了表征,利用气敏元件测试系统对用其制备的气敏元件的气敏特性进行了检测,研究了ZnO的掺杂量和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响,并对TiO2厚膜的气敏机理进行了讨论。结果表明:ZnO的掺杂有效地抑制了TiO2晶粒的生长,于700℃退火、w(ZnO)=4%的ZnO-TiO2的结晶粒径为15.9 nm,其对氨水蒸气的最高灵敏度达到9 354左右,响应和恢复时间均为1 s。
高净潘国峰张东岭刘玉岭王娜
关键词：气敏传感器SOL-GEL法退火温度
从低木糖醇含量母液中提取晶体木糖醇的实验研究被引量：4
2008年
以低木糖醇含量的木糖醇母液为原料,采用过冷结晶和添加溶剂分离的技术对木糖醇母液进行提纯。先将低木糖醇含量母液浓缩处理,加入晶种后进行长时间结晶孕育,再将初次结晶得到的晶体木糖醇进行重结晶得到最终产品。实验结果表明,木糖醇母液浓缩折光度为80￣82,温度降至6￣8℃后加入5%的晶种进行初次结晶的收率最高,可达到23%,纯度可达到96.6%,再通过重结晶可以将纯度提高到98.5%以上,达到国家标准。
靳冠娴梁广川王娜干静沈彩萍
关键词：木糖醇母液回收
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