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改良西门子法生产多晶硅降低生产成本的途径分析: 自2008年10月以后，多晶硅价格持续下降，在市场竞争中价格的弹性也逐渐减弱。目前国内近80%以上企业形式不容乐观，成本的重要性日趋显著，因而降低生产成本直接决定了多晶硅企业及下游光伏产业的长期可持续发展。概述了多晶硅生...; 李光明胥福顺邓菊莲潘红星; 关键词：多晶硅产业技术创新

缓冲层对Ge量子点溅射生长的影响: 在Si基上自组装生长的Ge量子点,在光学和电学上表现出许多独特性质,利用这些性质制作的新型器件在微电子和光电子领域发挥重要作用。而且Si基量子点与成熟的硅集成电路工艺兼容,所以更具有特殊的意义。因此,人们对未来的Si基光...; 潘红星; 关键词：离子束溅射缓冲层量子点自组装

缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法: 本发明涉及一种用离子束溅射技术缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上...; 杨宇王茺张学贵熊飞潘红星杨杰; 文献传递

溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究: 2011年; 在不同的沉积温度下采用离子束溅射技术,在Si基底上生长得到分布密度高、尺寸单模分布的圆顶形Ge量子点.研究发现:随沉积温度的升高Ge量子点的分布密度增大,尺寸减小,当沉积温度升高到750℃时,溅射沉积15个单原子层厚的Ge原子层,生长得到高度和底宽分别为14.5和52.7nm的Ge量子点,其分布密度高达1.68×1010cm-2;Ge量子点的形貌、尺寸和分布密度随沉积温度的演变规律与热平衡状态下气相凝聚的量子点不同,具有稳定形状特征和尺寸分布的Ge量子点是在热力学平衡条件限制下表面原子动态演变的结果.拉曼光谱证实,高能的表面原子在溅射生长过程中形成晶态和非晶态共存的Ge/Si混晶界面,溅射原子在混晶边界优先形核是获得高密度的自组装Ge量子点的重要原因.Ge量子点密集生长导致量子点之间的弹性作用增强,弹性排斥促使表面原子沿高指数晶面生长,使得在高温下采用离子束溅射的方法容易获得高宽比大、尺寸小、分布均匀的Ge量子点.; 熊飞潘红星张辉杨宇; 关键词：GE量子点离子束溅射沉积

催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法: 本发明涉及一种催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法，属于高α相氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域。本发明包括原料混合处理及催化氮化反应步骤，是对现有技术的改进。本发明选择FeCl<Sub>3</Sub>·6H<Sub>2</S...; 杨宇熊飞于方民潘红星李亮靳映霞王茺; 文献传递

缓冲层生长温度对量子点生长的影响: 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅基底上制备了一系列Ge量子点样品。利用Raman光谱和AFM对样品进行表征,系统研究了随着缓冲层生长温度的改变,量子点的面密度和尺寸的演变规律。实验结果表明,通过控制缓冲层的生长...; 潘红星王茺熊飞张学贵杨杰李天信杨宇; 关键词：锗量子点离子束溅射; 文献传递

温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4: 2010年; 采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。; 张学贵王茺杨杰潘红星鲁植全李亮杨宇; 关键词：离子束溅射量子点表面形貌 RAMAN光谱

缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法: 本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度...; 杨宇王茺张学贵熊飞潘红星杨杰; 文献传递

Ge/Si量子点的控制生长被引量：1: 2012年; 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.; 潘红星王茺杨杰张学贵靳映霞杨宇; 关键词：锗量子点离子束溅射

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潘红星