张学贵
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法
- 本发明涉及一种用离子束溅射技术缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上...
- 杨宇王茺张学贵熊飞潘红星杨杰
- 文献传递
- 用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法
- 本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，在生长温度为600℃~800℃，工作室本底真空度小于3.0×10<S...
- 杨宇王茺熊飞杨杰张学贵李亮
- 离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究
- 采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射...
- 张学贵王茺杨杰鲁植全潘红星李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点表面形貌RAMAN光谱
- 文献传递
- 离子束溅射生长高均匀尺寸Ge/Si量子点的研究
- 本文利用FJL560Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备Ge/Si量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征、以自组装S-K(Stranski-Krastanov)生长模式的热...
- 张学贵
- 关键词：半导体薄膜离子束溅射薄膜生长
- 缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法
- 本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度...
- 杨宇王茺张学贵熊飞潘红星杨杰
- 文献传递
- Ge/Si量子点的控制生长被引量：1
- 2012年
- 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.
- 潘红星王茺杨杰张学贵靳映霞杨宇
- 关键词：锗量子点离子束溅射
- 离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变被引量：5
- 2011年
- 采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律.结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加.
- 张学贵王茺鲁植全杨杰李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射量子点表面形貌RAMAN光谱
- 用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法
- 本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，工作室本底真空度小于3.0×10<Sup>-4</Sup>Pa，束流...
- 杨宇王茺熊飞杨杰张学贵李亮
- 文献传递
- 温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4
- 2010年
- 采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。
- 张学贵王茺杨杰潘红星鲁植全李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射量子点表面形貌RAMAN光谱
