李乐
- 作品数：2 被引量：15H指数：1
- 供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省教育厅博士基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法被引量：1
- 2003年
- 提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断一个二极管有无界面层存在,并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值.用 A-V方法研究了采用不同的欧姆接触的 Ni/n-GaN肖特基二极管,观察到肖特基二极管的负电容现象,并确认是一种结的效应.研究还发现,无论缺乏n^+层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成,界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构。
- 李乐朱传云沈君王存达
- 关键词：半导体二极管导纳正向电压串联电阻结电容
- GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究被引量：14
- 2004年
- 利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容 电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率越低、正向电压越大,这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。
- 曾志斌朱传云李乐赵锋王存达
- 关键词：GAN氮化镓蓝光发光二极管负电容电容-电压特性LED
