沈君
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省教育厅博士基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法被引量：1
- 2003年
- 提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断一个二极管有无界面层存在,并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值.用 A-V方法研究了采用不同的欧姆接触的 Ni/n-GaN肖特基二极管,观察到肖特基二极管的负电容现象,并确认是一种结的效应.研究还发现,无论缺乏n^+层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成,界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构。
- 李乐朱传云沈君王存达
- 关键词：半导体二极管导纳正向电压串联电阻结电容
- GaN半导体二极管电学特性的研究
- 该文提出了一种利用正向偏压下的交流(AC)信号测量来检测半导体二极管特性的新方法,利用该方法,可以确定二极管的串联电阻和正向偏压结电容的大小,判断有无界面层并测量其电阻和电容的数值.在不同的测试频率和正向偏压下,该文研究...
- 沈君
- 关键词：GAN半导体二极管电学特性界面层串联电阻负电容
- 文献传递
- 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法被引量：6
- 2003年
- 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法 .利用该方法 ,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值 ,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值 .用此方法对 Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测 ,所有的实验结果与理论分析相符合 .实验中确认了在 Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在 .
- 王存达曾志斌张国义沈君朱传云
- 关键词：半导体二极管串联模式界面层负电容
- GaN发光二极管的负电容现象被引量：6
- 2000年
- 采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子
- 沈君王存达杨志坚秦志新童玉珍张国义李月霞李国华
- 关键词：GAN发光二极管负电容
