朱健
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构被引量：7
- 2009年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素导致的整个原子平面的位移可能是SFT形成的原因所在.
- 关庆丰程笃庆邱冬华朱健王雪涛程秀围
- 关键词：强流脉冲电子束
- 强流脉冲电子束诱发纯镍表层纳米结构的形成机制被引量：9
- 2009年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯镍进行了表面处理,并采用扫描电镜和透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面及亚表面的微观组织结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后表面熔化,形成了深度约为2μm的重熔层,快速的凝固使重熔层中形成晶粒尺寸约为80nm的纳米结构.位于轰击表面下方5—15μm深度范围内强烈塑性变形引起的位错墙和其内部的亚位错墙结构是该区域的主要结构特征.这些缺陷结构通过互相交割细化晶粒,最终导致尺寸约为10nm的纳米晶粒的形成.
- 程笃庆关庆丰朱健邱东华程秀围王雪涛
- 关键词：强流脉冲电子束
- 强流脉冲电子束轰击对单晶Si表面形貌的影响被引量：4
- 2009年
- 用强流脉冲电子束技术对两种取向的单晶Si片进行了表面轰击,对电子束诱发的表面形貌进行了分析。实验结果表明,当能量密度～3J/cm2时,轰击表面开始形成大量的熔坑。能量密度～4J/cm2时,表面开始出现微裂纹,微裂纹的形态与单晶Si的晶体取向密切相关;强流脉冲电子束轰击能够诱发表层强烈的塑性变形,[111]取向单晶Si表面出现剪切带结构,而[001]取向单晶Si表面变形结构则以微条带为主;此外,变形区域内还出现大量<100nm的微孔洞形貌,这些微孔洞的形成为制备表面多孔材料提供了可能。
- 朱健储金宇王雪涛关庆丰梁亮
- 关键词：强流脉冲电子束单晶硅剪切带
- 强流脉冲电子束诱发单晶铜表层的缺陷结构
- 2010年
- 为了研究高速变形对金属材料微观结构的影响,利用强流脉冲电子束技术对单晶铜进行了辐照,并通过透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面微结构进行了分析.实验结果表明,位于电子束中心区域的单晶铜表层微结构以位错胞为主;而距离电子束中心区域较远处区域表层微结构则由大量的空位簇缺陷组成,在该区域很少能够观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹.根据各自区域的微结构特征,对相应的变形机制进行了探讨.强流脉冲电子束辐照导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.
- 顾倩倩王雪涛朱健邱冬华程秀围关庆丰储金宇
- 关键词：强流脉冲电子束单晶铜应力
