邱冬华
- 作品数：9 被引量：34H指数：4
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 强流脉冲电子束作用下纯镍表层中织构及结构缺陷的演化行为被引量：3
- 2010年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。
- 李艳顾倩倩邱冬华彭冬晋关庆丰
- 关键词：强流脉冲电子束纯镍织构
- 强流脉冲电子束辐照诱发的304L不锈钢表面孔洞结构
- 利用强流脉冲电子束对304L不锈钢进行了表面轰击处理,并通过金相显微镜、扫描电子显微镜和非接触式光学轮廓仪对其表面形貌进行了分析。实验结果表明,电子束处理后的样品表面产生了大量的火山状熔坑以及微孔洞,熔坑是由于HCPEB...
- 彭冬晋王雪涛邱冬华程秀围关庆丰
- 关键词：强流脉冲电子束微孔多孔材料
- 文献传递
- 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——变形结构被引量：5
- 2011年
- 为了研究金属的超快变形机理,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的表面微结构进行了表征.实验结果表明,HCPEB轰击多晶纯Cu后,在轰击表层诱发了幅值极大的应力和极高的应变速率.1次HCPEB轰击材料表层的变形结构以交滑移形成的位错胞和位错缠结结构为主;多次轰击后平行的位错墙和孪晶是该区域的主要变形结构特征;原子面的扩散乃至位错攀移可在晶界和孪晶界上形成台阶结构.根据各自区域的变形结构特征,对相应的变形机理进行了探讨.
- 关庆丰顾倩倩李艳邱冬华彭冬晋王雪涛
- 关键词：强流脉冲电子束孪晶
- 强流脉冲电子束辐照诱发的304L不锈钢表面孔洞结构
- 利用强流脉冲电子束对304L不锈钢进行了表面轰击处理,并通过金相显微镜、扫描电子显微镜和非接触式光学轮廓仪对其表面形貌进行了分析。实验结果表明,电子束处理后的样品表面产生了大量的火山状熔坑以及微孔洞,熔坑是由于HCPEB...
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- 关键词：强流脉冲电子束不锈钢微孔多孔材料
- 文献传递
- 17-4PH不锈钢时效析出相的形成过程被引量：11
- 2011年
- 对17-4PH(0Cr17Ni4Cu4Nb)马氏体不锈钢进行了3种不同条件下的时效处理。利用透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了17-4PH不锈钢时效处理后析出相的形成过程。实验结果表明,时效条件为442℃,8h空冷时,在马氏体内部析出弥散的、尺寸小于10nm的ε-Cu、Nb6C(N)5和Nb2C(N)型亚稳相颗粒;时效条件为465℃,4h空冷时,析出尺寸为10～15nmε-Cu和稳定的NbC(N)相;时效条件为480℃,1h空冷时,析出尺寸为20～25mm的ε-Cu+NbC(N)相,且析出相NbC(N)与马氏体为共格析出,取向关系为NbC[001]//α-Fe[001]。
- 关庆丰邱冬华李艳陈康敏安春香龙荷荪
- 关键词：金属材料时效
- 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构被引量：4
- 2010年
- 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根本原因.这表明HCPEB技术有可能成为一种快速制备金属表面多孔材料的新方法。
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- 关键词：强流脉冲电子束多晶铜微孔
- 强流脉冲电子束作用下纯镍表面的应力特征被引量：13
- 2009年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对多晶纯镍进行轰击,采用X射线衍射及扫描电子显微镜等技术,详细分析了受轰击样品的变形组织与结构。通过分析建立了强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系,并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了讨论。实验结果表明:强流脉冲电子束能够在材料表层诱发约5GPa的应力,造成纯镍表面发生孪生塑性变形。除了热膨胀引起的表层横向准静态热应力外,强流脉冲电子束产生的等离子体脉冲爆炸可以直接诱发幅值很高的冲击应力波,二者的共同作用是引起表层微观结构变化的直接原因。
- 邱冬华程笃庆关庆丰邹广田
- 关键词：强流脉冲电子束纯镍应力孪生变形微观结构
- 强流脉冲电子束诱发单晶铜表层的缺陷结构
- 2010年
- 为了研究高速变形对金属材料微观结构的影响,利用强流脉冲电子束技术对单晶铜进行了辐照,并通过透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面微结构进行了分析.实验结果表明,位于电子束中心区域的单晶铜表层微结构以位错胞为主;而距离电子束中心区域较远处区域表层微结构则由大量的空位簇缺陷组成,在该区域很少能够观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹.根据各自区域的微结构特征,对相应的变形机制进行了探讨.强流脉冲电子束辐照导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.
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- 关键词：强流脉冲电子束单晶铜应力
- 强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构被引量：7
- 2009年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素导致的整个原子平面的位移可能是SFT形成的原因所在.
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- 关键词：强流脉冲电子束
