您的位置： 专家智库 > >

崔兴达

作品数：7 被引量：8H指数：2
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇籽晶
  • 3篇掺杂
  • 2篇信息功能材料
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇异质结
  • 2篇真空设备
  • 2篇生长温度
  • 2篇水平管
  • 2篇同质结
  • 2篇微米
  • 2篇铝掺杂
  • 2篇纳米ZNO
  • 2篇纳米线
  • 2篇功能材料
  • 2篇光电
  • 2篇光电信息功能...
  • 2篇合成温度
  • 1篇性能研究

机构

  • 7篇北京科技大学

作者

  • 7篇常永勤
  • 7篇崔兴达
  • 4篇杨林
  • 2篇陆映东
  • 2篇龙毅
  • 2篇郑超
  • 1篇邵长景
  • 1篇强文江

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇中国冶金教育

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法
一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温...
常永勤郑超崔兴达
文献传递
一种P掺杂ZnO纳米梳的制备及其光致发光性能研究被引量：2
2014年
采用化学气相沉积(CVD)方法制备了P掺杂ZnO纳米梳,扫描电子显微镜(SEM)结果显示,纳米梳状产物均匀分布在Si衬底上。P掺杂ZnO纳米梳为高度结晶的六方纤锌矿结构,ZnO中P的掺杂含量约为2%(原子分数)。室温光致发光(PL)光谱表明,P掺杂ZnO纳米梳在样品不同区域的发光性能略有不同,但是均出现3个发光峰:紫外、绿光和近红外发光峰。同时PL结果也表明样品的整体结晶质量比较好。
邵长景崔兴达常永勤龙毅
关键词：化学气相沉积光致发光
本科生科技创新能力培养方法的探索被引量：6
2011年
国家建设需要有创新思想和创新能力的后备力量,高等学校要注重大学生创新能力的培养。从本科生参与大学生科研训练计划的角度出发,针对学生选题、文献阅读、数据记录、学术交流与结果分析等几个方面进行了分析与探讨。从指导老师与学校的角度提出如何对学生开展有效的指导。
常永勤崔兴达杨林强文江龙毅
一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法
本发明是一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法，称取Zn粉和Fe粉均匀混合后置于刚玉舟内；将硅片镀有金膜面朝下，固定在刚玉舟的上方，通入Ar气，加热后随炉冷却，制得ZnO纳米籽晶。配制生长溶液，加热搅拌后，将制得的Zn...
常永勤杨林崔兴达
文献传递
一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法
一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得...
常永勤陆映东杨林崔兴达
文献传递
一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法
一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温...
常永勤郑超崔兴达
文献传递
一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法
一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得...
常永勤陆映东杨林崔兴达
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0