陆映东
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法
- 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得...
- 常永勤陆映东杨林崔兴达
- 文献传递
- Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25～90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。
- 陆映东常永勤张敬民王明文郭佳林王永威龙毅
- 关键词：光致发光化学气相沉积
- 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法
- 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约...
- 常永勤陆映东龙毅
- 文献传递
- 一种氧化锌径向同质结及其制备方法
- 一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、...
- 常永勤陆映东
- 文献传递
- SN掺杂ZNO纳米线的制备及其发光性能研究
- 采用热蒸发法制备了SN掺杂ZNO纳米线，其中SN的掺杂含量约为2.4 AT.[％]。X 射 线衍射（XRD）结果表明SN掺杂ZNO纳米线为单相纤锌矿结构。纳米线的室温光致发光（PL） 光谱分别在409.2 NM和498....
- 郭佳林常永勤陆映东李学达龙毅王明文
- 关键词：光致发光热蒸发
- 文献传递网络资源链接
- 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法
- 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约...
- 常永勤陆映东龙毅
- 常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究被引量：3
- 2009年
- 在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。
- 陆映东常永勤孔广志王明文郭佳林龙毅张寅虎林杰
- 关键词：SNO2纳米线常压气相沉积光致发光
- ZnO纳米结构的制备、掺杂与表征
- 陆映东
- 关键词：氧化锌掺杂化学气相沉积溶液法
- Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳米带,其中Sn的掺杂含量约为5%(原子分数)。X射线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中Sn的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445.8nm处存在较强的蓝光发射峰,对其发光机制进行了分析。
- 郭佳林常永勤王明文陆映东龙毅
- 关键词：光致发光热蒸发
- 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法
- 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得...
- 常永勤陆映东杨林崔兴达
- 文献传递
