孙英华
- 作品数：50 被引量：67H指数：5
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟被引量：2
- 1998年
- 用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。
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- 关键词：异质结截止频率最高振荡频率HBT
- 半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层被引量：12
- 1998年
- 为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。
- 张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地
- 关键词：欧姆接触扩散阻挡层半导体器件可靠性
- 双极晶体管h_（FE）低温失效分析及使用可靠性被引量：3
- 1996年
- 论述了影响双极晶体管电流增益ｈ_（ＦＥ）低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试并计算出了ｈ_（ＦＥ）的低温下降值，对实测值与计算值的差异进行了分析。最后指出了改进ｈ_ＦＥ温度特性的具体途径。
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- 关键词：电流增益可靠性双极晶体管
- 电迁徙参数的电流斜坡动态测试
- 1996年
- 采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽的温度范围和测试时间内获得的ｎ值一致性很好。
- 孙英华李志国邓燕程尧海郭伟玲
- 关键词：半导体器件可靠性
- 带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用
- 1996年
- 将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命比用Ｗ作阻挡层的管子提高了两倍多：用ＴｉＮ作阻挡层的管子和用Ｗ作阻挡层的管子具有较好的耐高温特性，与Ｍｏ作阻挡层的管子相比它们承受的温度更高。
- 郭伟玲李志国程尧海孙英华
- 关键词：金属化氮化钛微波半导体器件
- Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜抗电徒动特性对比研究
- 孙英华李学信
- 关键词：合金
- 应变Si_(1-x)Ge_x层材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理参数模型被引量：10
- 1998年
- Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件物理参数模型，对Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。
- 张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地罗晋生
- 关键词：应变层物理参数
- 微波晶体管金属化布线加固结构
- 一种微波晶体管金属化布线加固结构,属于微波晶体管制造技术领域。包含发射区、覆盖于发射区上的欧姆接触层,部分覆盖发射区并在欧姆接触层下部的绝缘层,覆盖于欧姆接触层上的阻挡层和覆盖于阻挡层上的上金属化层,其特征在于:距欧姆接...
- 李志国孙英华张炜
- 文献传递
- 半导体器件金属化热电徙动的温度测试
- 1998年
- 在金属化布线电徙动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为150℃，电流密度为3×106A／cm2和5×106A／cm2时，金属薄膜温度分别高于环境温度32．5℃和100℃；提出了扩散电阻测温法，在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试．
- 孙英华李志国程尧海张万荣吉元
- 关键词：半导体器件金属化布线温度测试
- 微波功率器件金属化布线回流加固结构
- 2000年
- 在回流动力学理论和实验研究的基础上 ,将回流加固结构应用于实际微波功率器件 .结合器件具体结构和制备工艺 ,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析 ,结合实际工艺优化设计了回流加固结构 ,制备了六种结构样管 ,电热应力试验结果表明 :采用一个缝隙、缝隙宽度为 3μm的结构回流加固效果最好 ,抗热电徙动能力最强 .利用回流效应可有效降低微波管中的纵向 ( Al- Si界面 )电迁徙失效 。
- 孙英华李志国程尧海张万荣
- 关键词：金属化微波功率器件
