吴迪
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
- 2008年
- 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
- 顾晓玲郭霞吴迪李一博沈光地
- 关键词：极化
- GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究被引量：4
- 2008年
- 采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力。GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500 nm。EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似。模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘。剥离应力是导致晶片解键合的主要原因。
- 田彦宝吉元赵跃吴迪郭霞沈光地索红莉周美玲
- 关键词：热应力晶片键合
- 基于平衡取样电路的高速脉冲发生器被引量：6
- 2006年
- 当宽带取样示波器的平衡取样电路直流偏置电压Voffset不为零时,在选通脉冲的作用下该平衡取样电路将产生一个幅度与直流偏置电压Voffset成正比的高速脉冲。文中详细地分析了高速脉冲与直流偏置电压Voffset、选通脉冲的关系。并针对一个具体的平衡取样电路进行了仿真研究。结果表明,平衡取样电路能够构成一个可控的高速脉冲发生器。
- 吴迪刘明亮朱江淼
- 关键词：高速脉冲发生器宽带取样示波器
- GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究被引量：3
- 2007年
- 通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值波长蓝移也更加明显.同时考虑极化效应和载流子不均匀分布的影响,通过对一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程的联立自洽求解.分析了测试电流下蓝、绿光EL谱峰值波长和功率的变化情况.发现理论结果与实验结果有很好地符合.
- 顾晓玲郭霞梁庭林巧明郭晶吴迪徐丽华沈光地
- 关键词：极化双波长
- GaAs-GaN键合界面热应力的EBSD分析
- 采用电子背散射技术(EBSD),分析了 GaAs-GaN 晶片直接键合界面的质量。比较 GaAs-GaN 晶片键合界面中心区域和边缘区域的 IQ 和晶格转动角。测试结果表明,品格畸变、错配角及位错密度在中心区域小于边缘区...
- 田彦宝吴迪吉元郭霞沈光地
- 文献传递
- GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响被引量：7
- 2007年
- 制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10mA增加到70mA时,理论结果与实验结果能很好符合.
- 顾晓玲郭霞吴迪徐丽华梁庭郭晶沈光地
- 关键词：极化
