郭晶
- 作品数：11 被引量：39H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于CRM的酒店管理系统的设计与实现
- 近年来随着国民经济的发展，人们物质生活水平不断提高，我国的酒店行业也取得了长足发展。另外随着计算机及网络技术的发展在市场经济信息化的大背景下，针对于酒店行业日益严峻的竞争形势，人们开始意识到利用相应的技术手段，对酒店进行...
- 郭晶
- 关键词：酒店软件开发功能模块
- 两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究被引量：7
- 2008年
- 根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。
- 顾晓玲郭霞林巧明梁庭郭晶沈光地
- 关键词：白色发光二极管基色显色指数光视效能
- p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
- 2008年
- 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。
- 林巧明郭霞梁庭顾晓玲郭晶沈光地
- 关键词：铟镓氮欧姆接触极化
- GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究被引量：3
- 2007年
- 通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值波长蓝移也更加明显.同时考虑极化效应和载流子不均匀分布的影响,通过对一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程的联立自洽求解.分析了测试电流下蓝、绿光EL谱峰值波长和功率的变化情况.发现理论结果与实验结果有很好地符合.
- 顾晓玲郭霞梁庭林巧明郭晶吴迪徐丽华沈光地
- 关键词：极化双波长
- GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：12
- 2007年
- 通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。
- 林巧明郭霞顾晓玲梁庭郭晶沈光地
- 关键词：GAN发光二极管峰值波长热效应极化
- 宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计被引量：4
- 2007年
- 运用光学传输矩阵和有限元方法对波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSELs)的波长调谐范围进行了研究.对中心波长为980nm的可调谐VCSELs的波长调谐特性和微电子机械系统(MEMS)悬臂梁结构进行了设计,并进行了实验研究.结果表明,MEMS可调谐VCSELs调谐特性同时受到光波谐振腔结构和悬臂梁最大位移的共同影响.在悬臂梁几何尺寸和激光器有源区结构一定的条件下,通过优化可调谐VCSELs的牺牲层厚度可实现大范围波长调谐.同时,对可调谐VCSELs整体结构进行了设计,计算结果显示波长调谐范围达到30nm以上,调谐效率达到0.12,调谐过程中所有激射波长都处在InGaAs/GaAs量子阱高增益区.
- 关宝璐郭霞杨浩梁庭顾晓玲郭晶邓军高国沈光地
- 关键词：悬臂梁宽调谐范围
- 半导体激光器老化测试智能控制系统被引量：6
- 2005年
- 本文介绍了一个能对半导体激光器进行老化测试的智能控制系统。相对于已有系统,该系统采用一个经过MAT-LAB优化设计的半导体激光器驱动电路,电路结构更为简单。控制系统能够同时在恒定电流老化筛选和恒定光功率老化筛选模式下,对多个半导体激光器进行老化测试。该系统的实验表明,工作稳定,性能良好。
- 阮颖王学忠郭晶郭伟玲崔碧峰沈光地
- 关键词：半导体激光器驱动电路MATLAB优化设计
- 基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法
- 本发明公开了一种基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法，该二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极(7)、n型载流子限制层(5)、有源区(4)、p型载流子限制层(3)：在p型载流子限制层(3)的下面依次包括隧...
- 郭霞梁庭郭晶顾晓玲林巧明沈光地
- 文献传递
- 表面为隧道结结构的单芯片白光发光二极管
- 本发明属于半导体光电子技术领域。现有二极管或封装难度大且成本高，或工艺复杂，成品率低。本发明结构：p电极加厚电极(1)、p电极欧姆接触层(2)、p型层(6)、有源区一(301)、n型层(7)、缓冲层(8)、衬底(9)、n...
- 郭霞郭晶沈光地董立闵刘莹邓军
- 文献传递
- GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响被引量：7
- 2007年
- 制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10mA增加到70mA时,理论结果与实验结果能很好符合.
- 顾晓玲郭霞吴迪徐丽华梁庭郭晶沈光地
- 关键词：极化
