刘敏波
- 作品数：76 被引量：134H指数：7
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法
- 本发明涉及一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法，在总结现有数字集成电路辐射效应在线测试系统异同性的基础上，将效应测试中所需的各种功能电路划分为相对独立的模块，每个模块间的电气及机械连接、模块内的设计、系统...
- 姚志斌盛江坤陈伟何宝平刘敏波马武英黄绍艳
- 文献传递
- 质子单粒子效应数据信息系统设计及实现
- 2021年
- 从设计和实现2个方面介绍了质子单粒子效应数据信息系统。该系统围绕西安200 MeV质子应用装置而建,不仅能收集与质子试验相关的试验条件和试验结果等信息,形成资源中心,而且能管理与质子试验相关的机时分配、材料及报告审核等业务流程,实现了静态资源与动态业务管理的有机融合,可对辐照效应数据进行全寿命周期管理,保证数据的完整性、规范性和可追溯性,并提高管理效率和应用水平。
- 白小燕郭晓强王桂珍王忠明赵雯刘敏波
- 关键词：资源管理业务管理
- 辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析被引量：5
- 2010年
- 研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。
- 王祖军刘以农陈伟唐本奇肖志刚黄绍艳刘敏波张勇
- 关键词：CCD体缺陷损伤阈值
- 低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究被引量：4
- 2018年
- 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。
- 姚志斌陈伟何宝平马武英盛江坤刘敏波王祖军金军山张帅
- 关键词：数值仿真总剂量效应
- 双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验被引量：5
- 2014年
- 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
- 刘敏波陈伟姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤肖志刚王祖军
- 关键词：双极集成电路低剂量率界面态
- 光电耦合器的反应堆中子辐射效应被引量：6
- 2011年
- 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。
- 黄绍艳刘敏波唐本奇肖志刚王祖军张勇
- 关键词：光电耦合器光敏晶体管电流传输比饱和压降
- 光电图像传感器单个粒子位移损伤的测试方法
- 本发明提供一种光电图像传感器单个粒子位移损伤的测试方法，主要解决现有测试方法无法快速准确对光电图像传感器单个粒子位移损伤效应进行测试的问题。该测试系统中，光电图像传感器安装在辐照板上，辐照板设置在自动移动平台上；FPGA...
- 薛院院王祖军陈伟刘敏波姚志斌何宝平郭晓强盛江坤马武英缑石龙
- 光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应被引量：1
- 2014年
- 开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
- 黄绍艳刘敏波姚志斌盛江坤肖志刚何宝平王祖军唐本奇
- 关键词：光电耦合器
- NAND Flash存储器总剂量效应测试技术研究
- 本文首先分析了NAND型Flash存储器的总剂量效应失效模式,然后根据器件的失效模式和失效现象对测试系统的功能提出了要求,并对测试系统的实现方法进行了介绍。利用研制的测试系统,进行了NAND型Flash存储器总剂量辐照实...
- 盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军
- 关键词：总剂量工艺尺寸
- 文献传递
- 基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法
- 本发明涉及一种基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法，针对栅扫描法所测I<Sub>B</Sub>‑V<Sub>G</Sub>曲线由于界面态陷阱浓度小或多能级界面陷阱共同存在时，曲线峰值位置不明显，难以确...
- 姚志斌陈伟何宝平马武英刘敏波盛江坤黄绍艳王祖军
