何宝平
- 作品数：149 被引量：258H指数：9
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法
- 本发明涉及一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法，在总结现有数字集成电路辐射效应在线测试系统异同性的基础上，将效应测试中所需的各种功能电路划分为相对独立的模块，每个模块间的电气及机械连接、模块内的设计、系统...
- 姚志斌盛江坤陈伟何宝平刘敏波马武英黄绍艳
- 文献传递
- 星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究被引量：1
- 2000年
- 文章研究了CMOS器件 (LC54HC0 4RH) 6 0 CoΥ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在 1 0 0℃温度场下的退火效应。实验发现 ,辐照后 ,器件在加温和加偏条件下 ,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火 ,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火 ;但在 1 0 0℃温度场中 ,两种偏置条件都有利于p沟器件氧化物陷阱电荷和界面态的退火。
- 何宝平张正选姜景和王永强
- 关键词：剂量率退火效应CMOS器件
- 一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法
- 本发明涉及一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法，包括抽取甄别样品、烘烤样品及筛选，样品按组分别实施高辐照剂量率辐照试验、测试辐照样品辐照前后的电学特性，确定辐射敏感参数、低剂量率辐射损伤增强效应甄别。本发明在辐...
- 马武英欧阳晓平缑石龙薛院院何宝平
- 二次包封CMOS器件电子辐照实验研究被引量：4
- 2003年
- 对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得到了预期的数据和结果.这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径.
- 卫宁郭红霞于伦正周辉何宝平陈雨生党军
- 关键词：CMOS器件电离辐射复合材料
- 电子元器件屏蔽技术的理论与实验研究
- 本文首先介绍了美国SEI公司器件封装屏蔽技术的现状;分析了屏蔽技术所应用的辐射环境,空间辐射环境的电子、人为辐射环境的X射线可以采用屏蔽技术提高器件的抗辐射能力.介绍了我们目前在屏蔽技术方面的理论和实验工作,并给出了在我...
- 郭红霞陈雨生韩福斌林东生何宝平周辉龚建成
- 关键词：屏蔽电子元器件
- 文献传递
- 双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验被引量：5
- 2014年
- 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
- 刘敏波陈伟姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤肖志刚王祖军
- 关键词：双极集成电路低剂量率界面态
- 基于X射线的电子系统辐射敏感位置快速甄别方法及系统
- 本发明提供一种基于X射线的电子系统辐射敏感位置快速甄别方法及系统，解决电子系统级总剂量效应试验过程中辐射敏感位置难以快速、准确定位的问题。该方法和系统在试验过程中采用局部屏蔽技术和逐个器件扫描辐照方式，可快速、准确获得电...
- 马武英欧阳晓平郭红霞姚志斌何宝平王祖军盛江坤薛院院缑石龙
- 文献传递
- 典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证被引量：4
- 2005年
- 应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007?RHANMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。
- 罗尹虹龚建成郭红霞何宝平张凤祁
- 静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟被引量：7
- 2009年
- 针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.
- 张科营郭红霞罗尹虹何宝平姚志斌张凤祁王园明
- 关键词：三维数值模拟单粒子翻转微束
- 空间辐射效应地面模拟等效的关键基础问题被引量：26
- 2017年
- 空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间辐射损伤地面模拟试验方法研究。但在空间低剂量率辐射损伤增强效应的地面模拟试验方法、重离子能量与入射角度对单粒子效应试验方法和预估方法的影响、质子和反应堆中子位移损伤等效方法等方面还面临着诸多尚未解决的问题。本文从空间辐射环境和地面模拟试验环境的差异性出发,着重阐述了低剂量率辐射损伤增强效应、粒子能量与入射角度对单粒子效应的影响、空间位移效应地面模拟试验方法3个方面的研究现状和存在的问题,梳理给出辐射损伤天地等效试验需要解决的关键基础问题,为空间辐射效应地面模拟试验方法研究和完善提供参考。
- 陈伟郭晓强姚志斌罗尹虹丁李利何宝平王祖军王晨辉王忠明丛培天
- 关键词：总剂量效应单粒子效应
