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刘先锋

作品数：3 被引量：9H指数：2
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇双极工艺
  • 2篇互补双极工艺
  • 1篇电流反馈
  • 1篇电流反馈运算...
  • 1篇运算放大器
  • 1篇模拟电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇放大器
  • 1篇高频
  • 1篇高速运算放大...
  • 1篇JFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇N
  • 1篇N-
  • 1篇P-

机构

  • 3篇电子工业部

作者

  • 3篇刘先锋
  • 2篇王界平
  • 1篇苏韧
  • 1篇龙弟光
  • 1篇王清平

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高频互补双极工艺探析被引量：2
1995年
本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极（ＣＢ）工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平，提出了两种在现有技术条件下可以实现的ＣＢ工艺。
王界平王清平苏韧刘先锋
关键词：互补双极工艺集成电路
高速运算放大器新技术──电流反馈运算放大器被引量：6
1996年
简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理、特点、应用及制造工艺，分析了电流反馈运算放大器的小信号特性和大信号特性。
龙弟光刘先锋冯兆兰
关键词：模拟电路运算放大器电流反馈互补双极工艺
一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺被引量：1
1994年
本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。
刘先锋王界平
关键词：晶体管场效应晶体管
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