陈南翔
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响被引量：1
- 1990年
- 本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。
- 陈南翔王忠烈黄敞
- 关键词：半导体材料高温退火结构性能
- 两步退火对SIMOX结构形成的影响
- 1990年
- 本文通过卢瑟夫沟道背散射(RBS/Channeling)及透射电子显微镜(TEM)研究了SIMOX结构的低、高温两步退火形成。实验结果表明:通过两步退火可以获得顶部硅层中无氧沉淀缺陷的、硅与二氧化硅界面较为突变的SIMOX结构。本文也讨论了在两步退火期间,SIMOX结构形成的物理过程。
- 陈南翔王忠烈黄敞
- 关键词：SIMOX退火
- SIMOX结构的低温(550℃)退火形成
- 1991年
- 本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。低温退火可以避免在顶部硅层中氧沉淀及延伸位错等缺陷的形成。本文还讨论了退火期间SIMOX结构的形成过程。
- 陈南翔王忠烈黄敞
- 关键词：低温退火硅片
- SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展被引量：3
- 1992年
- SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
- 王阳元陈南翔王忠烈
- 关键词：集成电路离子注入绝缘体
- 形成SOI结构的ELO技术研究被引量：1
- 1992年
- 本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm^2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10^(16)/cm^3),源-漏截止电流为 9.4×10^(-10)A/μm.
- 李映雪张旭光张美云陈南翔王阳元李树杰都安彦
- 关键词：单晶硅SOI结构
- ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究被引量：2
- 1992年
- 在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm^2/V.s及 200 cm^2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10^(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.
- 陈南翔张旭光张美云李映雪王阳元
- 关键词：短沟道
- 短沟道薄硅膜CMOS/SIMOX电路的研究被引量：3
- 1990年
- 通过大剂量氧离子注入(150key,2×10^(18)O^+/cm^2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。
- 陈南翔石涌泉王忠烈黄敞
- 关键词：沟道效应CMOS/SIMOX电路
- SIMOX:氧离子注入隔离技术被引量：1
- 1991年
- 过去十多年,SIMOX技术应用已得到证实。本文着重介绍了SIMOX技术及SIMOX结构的基本形成规律,论述了SIMOX技术在集成电路中,尤其是超薄层亚微米CMOS集成电路中的应用及其发展前景。
- 陈南翔
- 关键词：SIMOX
