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李映雪
作品数:
33
被引量:33
H指数:3
供职机构:
北京大学
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北京大学信息科学技术学院微电子...
张兴
北京大学信息科学技术学院微电子...
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武国英
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魏丽琼
北京大学信息科学技术学院微电子...
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1994
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1992
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1991
1篇
1989
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微电子技术的进展与挑战
被引量:4
1999年
微电子技术自巴丁、布拉顿和肖克莱发明晶体管至今,经历了半个世纪的发展,已经取得巨大进步,成为人类社会众多领域的关键技术,从而有力地推动。
林鸿溢
李映雪
关键词:
微电子技术
集成电路
纳米电子学
微机电系统
单芯片系统
a—Si:H薄膜显微形貌的图象处理
被引量:1
1991年
用动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显徽图象,通过对图象的数字采集和计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火温度下,显徽图像的Sandbox关系曲线。结果表明,在一定条件下所形成的微结构具有分形结构特性。计算了显徽图象的分维,讨论了a-Si:H薄膜结构驰豫(相变)与分形结构形成的关系。
林鸿溢
沈庭芝
李映雪
关键词:
非晶硅薄膜
退火
晶体
图象处理
纳米Si薄膜的压阻效应
1998年
纳米Si薄膜由大量的超微Si晶粒和大量的晶粒间界面区组成。这一特殊的结构造成纳米Si薄膜具有较大的压阻效应。本文讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。认为纳米Si薄膜材料是一种优秀的传感器材料。
林鸿溢
李映雪
关键词:
纳米硅薄膜
压阻效应
超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
1995年
在SOI材料上采用钴(Co)自对准硅化物技术,研究了减薄后的SOI上钻溅射厚度的优化问题,着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明,采用TCo:TSi≈1:3.6的近似方法优化粘膜厚度,会得到薄层电阻最低的硅化接触,改善其接触特性。
奚雪梅
徐立
闫桂珍
孟宪馨
李映雪
王阳元
关键词:
SOI
自对准硅化物
厚度
最佳化
退火方式和气氛对SIMOX材料质量的影响
1995年
本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注人方式对SIMOX材料质量的影响,结果表明,采用二重或三重注人并在Ar+0.5%O2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO2界面和高质量的表面硅层。
李映雪
王兆江
张兴
奚雪梅
王阳元
姚淑德
林成鲁
关键词:
退火
SIMOX
硅
短沟道CMOS/SIMOX器件与电路的制造
1995年
本文简要介绍短沟道CMOS/SIMOX器件与电路的研制。在自制的SIMOX材料上成功地制出了沟道长度为1.0μm的高性能全耗尽SIMOX器件和19级CMOS环形振荡器。N管和P管的泄漏电流均小于1×10-12A/μm,在电源电压为5V时环振电路的门延迟时间为280ps。
张兴
李映雪
奚雪梅
王阳元
石涌泉
关键词:
CMOS器件
集成电路
自对准硅化物SOI/CMOS技术研究
1995年
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实.验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间.提高SOI/CMOS电路的速度特性。
徐立
奚雪梅
武国英
李映雪
王阳元
关键词:
自对准硅化物
SOI
CMOS
集成电路
薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应
被引量:1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼
程玉华
孙玉秀
阎桂珍
李映雪
武国英
王阳元
关键词:
场效应晶体管
SOI
退火气氛对SIMOX材料Si/SiO_2界面特性的影响
被引量:3
1996年
利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响.结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5%O2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO2界面,而在纯N2气氛中退火,Si/SiO2界面极不平整,且界面附近晶体质量较差.本文分析了造成这种结果的原因.
李映雪
奚雪梅
王兆江
张兴
王阳元
林成鲁
关键词:
SIMOX材料
硅
二氧化硅
退火
CMOS/SIMOX-SOI电路
王阳元
李映雪
张兴
奚雪梅
魏丽琼
程玉华
赵清太
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、成果简介:优化了制备SIMOX材料的工艺条件,研制出符合器件要求的SIMOX材料,电子和空穴迁移率均超过了原合同的指标,开发一个快速的SIMOX顶层硅膜和预埋氧化层厚度计算程...
关键词:
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SOI器件
半导体器件
场效应晶体管
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