谭振新
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中北大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- HEMT嵌入式微加速度计的优化设计与测试
- 基于新原理、新效应、新结构的微纳器件与系统的设计与开发已成为当前微纳机电系统(M/NEMS)技术领域的研究热点。高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种利用表面浅结工艺技术制造的微/纳跨尺度M/NEMS器件，具有多个工作参数...
- 谭振新
- 关键词：高电子迁移率晶体管优化设计性能参数
- 文献传递
- 沟道角度对微加速度计性能的影响被引量：1
- 2012年
- 通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管(MESFET)的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaAs MESFET的材料层结构并采用四梁固支结构。通过表面浅工艺加工出GaAs MES-FET微加速度计。将敏感单元GaAs MESFET嵌入四梁靠近根部的位置。设计了3种不同的沟道角度,分别与悬臂梁呈45°、90°、0°,通过实验定量分析了GaAs MESFET在受到外力时,不同沟道角度的GaAs MESFET加速度计的灵敏度,且0°时灵敏度最高。最终指导传感器的优化设计,为进一步提高微加速度计的灵敏度奠定基础。
- 史伟莉薛晨阳谭振新刘俊张斌珍张文栋
- 关键词：金属半导体场效应晶体管灵敏度
- 基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计
- 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步...
- 唐军马游春刘俊张文栋苏淑靖薛晨阳张斌珍熊继军侯婷婷刘国文崔兢贾晓娟谭振新
- 文献传递
- GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量：1
- 2011年
- 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。
- 王杰张斌珍刘君唐建军谭振新贾晓娟高杰
- 关键词：共振隧穿二极管I-V特性砷化镓发射极
- 基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计
- 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步...
- 刘俊薛晨阳张斌珍张文栋熊继军侯婷婷刘国文崔競贾晓娟谭振新
- 基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
- 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计...
- 谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
- 关键词：场效应晶体管灵敏度线性度微加速度计
- 偏压对HEMT嵌入式微加速度计电学参数的温度特性影响被引量：3
- 2011年
- 研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应。研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同。其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大小,可以调整各自的贡献,确定合适的工作点,从而减小电学参数的温度漂移,甚至可以使某些电学参数的温度系数为零。因此,以HEMT作为微传感器的敏感单元,可以在较宽的温度范围内工作,解决由于温度的影响所带来的测量误差,为温度难以控制的恶劣环境的测试提供一定的依据。
- 谭振新薛晨阳史伟莉胡全忠刘俊张斌珍
- 关键词：场效应晶体管温度系数
- 基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
- 2010年
- 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.
- 谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
- 关键词：MESFETGAAS灵敏度线性度微加速度计
- Si基HEMT嵌入式微加速度计及其生产方法
- 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且...
- 刘俊唐军薛晨阳张斌珍张文栋田学东李长龙史伟莉谭振新臧俊斌
- 文献传递
- GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究
- 2010年
- 为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/Al0.4Ga0.6As压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子.研究了该薄膜结构的压阻效应,得到Al0.4Ga0.6As的应变因子可达70,相当于AlN-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电耦合器件中.
- 李秋柱刘国文谭振新
- 关键词：GAAS/ALGAAS压阻特性微加速度计
