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薛晨阳

作品数：808 被引量：866H指数：14
供职机构：中北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 497篇专利
  • 274篇期刊文章
  • 33篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 161篇电子电信
  • 135篇自动化与计算...
  • 74篇理学
  • 56篇一般工业技术
  • 54篇机械工程
  • 24篇交通运输工程
  • 16篇电气工程
  • 7篇航空宇航科学...
  • 7篇文化科学
  • 5篇化学工程
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇经济管理
  • 4篇环境科学与工...
  • 3篇医药卫生
  • 2篇天文地球
  • 2篇矿业工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 186篇传感
  • 164篇感器
  • 164篇传感器
  • 63篇水听器
  • 63篇光纤
  • 57篇矢量
  • 57篇光学
  • 56篇谐振腔
  • 51篇矢量水听器
  • 45篇声传感器
  • 43篇加速度
  • 42篇红外
  • 41篇压电
  • 39篇MEMS
  • 37篇电极
  • 37篇压阻
  • 37篇纳米
  • 34篇信号
  • 33篇封装
  • 26篇探测器

机构

  • 801篇中北大学
  • 11篇中国科学院微...
  • 9篇北京理工大学
  • 7篇山西大学
  • 6篇大阪大学
  • 5篇北京大学
  • 4篇教育部
  • 4篇电子测试技术...
  • 3篇清华大学
  • 3篇太原工业学院
  • 3篇忻州师范学院
  • 3篇香港城市大学
  • 3篇北方自动控制...
  • 3篇华阳新材料科...
  • 2篇北方工业大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国海洋大学
  • 2篇北京卫星环境...
  • 2篇阳泉煤业（集...
  • 2篇阳泉煤业(集...

作者

  • 807篇薛晨阳
  • 395篇张文栋
  • 231篇刘俊
  • 206篇熊继军
  • 117篇郑永秋
  • 112篇张斌珍
  • 105篇张国军
  • 103篇闫树斌
  • 91篇张志东
  • 78篇谭秋林
  • 75篇丑修建
  • 67篇何常德
  • 62篇唐军
  • 51篇崔丹凤
  • 49篇穆继亮
  • 46篇何剑
  • 45篇王永华
  • 44篇刘丹
  • 44篇臧俊斌
  • 39篇张增星

传媒

  • 42篇传感技术学报
  • 21篇仪表技术与传...
  • 17篇传感器与微系...
  • 15篇红外与激光工...
  • 13篇微纳电子技术
  • 10篇科学技术与工...
  • 8篇光子学报
  • 7篇Journa...
  • 7篇物理学报
  • 7篇压电与声光
  • 6篇中国激光
  • 6篇测试技术学报
  • 6篇第八届中国微...
  • 4篇中国机械工程
  • 4篇激光与光电子...
  • 4篇强激光与粒子...
  • 4篇纳米技术与精...
  • 3篇振动．测试与...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇光学学报

年份

  • 36篇2024
  • 40篇2023
  • 37篇2022
  • 45篇2021
  • 35篇2020
  • 34篇2019
  • 33篇2018
  • 51篇2017
  • 52篇2016
  • 82篇2015
  • 82篇2014
  • 56篇2013
  • 46篇2012
  • 33篇2011
  • 27篇2010
  • 28篇2009
  • 26篇2008
  • 19篇2007
  • 27篇2006
  • 13篇2005
共 808 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电容式微机械超声传感器特性分析方法
一种电容式微机械超声传感器特性分析方法，目的是对不同发射信号情况下位移、加速度、声压特性和接收特性进行有效分析；本发明先建立处于发射状态时CMUT微元状态方程-SIMULINK模型和处于接收状态时CMUT微元状态方程-S...
王红亮何常德薛晨阳王朝杰崔娟
一种基于表面等离极化激元波导全光二极管的结构设计
本发明公开了一种实现全光二极管功能的结构设计。更具体地，是一种基于金属?介质?金属（MIM）波导的表面等离极化激元全光二极管结构。其包括正向入射波导/反向出射波导、增益谐振腔、损耗谐振腔以及正向出射波导/反向入射波导。两...
张志东闫树斌崔建功薛晨阳张文栋陈慧斌王瑞兵苏莹赵学峰
文献传递
一种电触发气体推动的脱锁机构
本发明公开了一种电触发气体推动的脱锁机构，属于机器人脱锁技术领域，包括壳体、壳盖、内固定体、气体发生器、活塞、锁定器、摇臂；壳盖用于封闭壳体上部开口；活塞设置于壳体内，并将壳体内空间分为上下两部分；气体发生器设置在活塞上...
刘丹杨智轶王鑫侯凯彦崔宇刘璐温竞龙王永华崔丹凤薛晨阳
电容式微超声波换能器的设计与电容值测试被引量：3
2018年
该文通过对电容式微超声波换能器电容值测试分析了传感器的电容性能。该文设计的电容式微超声波换能器是由电容阵列组成的,主要是利用电容的改变来实现能量的转换。它是基于硅硅键合技术的微机电系统的电容式超声传感器,由其制作的传感器误差小、工艺流程简单且能进行量产。利用E4990A阻抗分析仪测试传感器电容值在工作电压下随频率的变化,得出频率为400 k Hz时电容值为617.67 p F。并且利用该仪器对传感器进行C-V测试分析而得出其电容的实际值与理论值的误差仅为1.6%。所得结果为对传感器进行理论计算提供了重要支撑,并且为后续转换电路的设计提供了数据支撑。
贾利成何常德杜以恒薛晨阳张文栋
关键词：微机电系统
垂直纳米光栅耦合器耦合效率分析与测试被引量：5
2011年
介绍了基于SOI纳米光栅耦合器的理论研究及测试方法,系统研究了光栅参数对光栅耦合效率的影响,在占空比为1∶1的基础上,对不同光栅槽深作了相应的理论分析,同时,还对不同角度的入射光作了相应的研究,经过仿真在入射角为10°时,对于波长为1 550 nm的入射光其耦合效率最高。除此之外,通过在光栅表面添加增透膜使其耦合效率在理论上提高至76%以上,并实验验证了增透膜可以有效的降低输入光场的端面反射及波导表面散射,增强了输出光效率。采用聚焦离子束方法(FIB)在10μm宽的硅波导上加工了纳米光栅结构,利用单模NewFocus可调谐激光器(1 520～1 570 nm)作为激发光源,对单模光纤与硅波导光栅进行垂直耦合,得到1 dB带宽近似为30 nm,耦合效率约为32%。
崔丹凤薛晨阳仝小刚晋玉剑宛克敬张文栋
关键词：增透膜单模光纤绝缘体上硅
铁磁共振磁交换力显微镜被引量：5
2013年
原子间的自旋相互作用力对原子级别磁性纳米构造体的表面磁性质的理解是极为重要的.磁交换力显微镜是测量表面自旋作用力的重要手段,但它的缺点一是需要加外部强磁场,二是不能分离表面形貌和自旋信息,这就导致材料表面受外部磁场的影响,而且表面形貌和自旋信息之间相互影响,使自旋间的相互作用力的检测和成像研究受到限制.为了解决上述问题,利用原子力显微镜,并采用微波照射的方法,根据铁磁共振原理,分别独立提取磁性材料表面形貌和自旋信息,称之为铁磁共振磁交换力显微镜,理论和实验结果表明此方法可以有效地分离两种信息.铁磁共振磁交换力显微镜可以促进对原子级磁性材料机能的理解以及磁性相关科学领域的进步,特别是对自旋电子元件的发展有很大的促进作用,是新世纪高度信息化社会不可缺少的测量技术.
薛慧马宗敏石云波唐军薛晨阳刘俊李艳君
关键词：原子力显微镜自旋铁磁共振
双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验被引量：2
2007年
用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温下随着外加压力变化的I-V曲线.测试结果表明:量子阱薄膜I-V曲线的共振峰在(110)方向单轴应力作用下向正偏压方向漂移,在(110)方向应力作用下向负偏压方向偏移,并分析了量子阱薄膜力电耦合效应的物理成因.该结果与基于量子阱力电耦合特性的介观压阻理论的研究结果相吻合.
谢斌薛晨阳张文栋熊继军张斌珍
关键词：力电耦合
一种脉宽可调式LIBS重金属元素探测系统及分析方法
本发明属于水下重金属元素探测技术领域，尤其涉及一种脉宽可调式LIBS重金属元素探测系统及分析方法，包括超声雾化辅助模块和激光诱导击穿光谱模块两部分；超声雾化辅助模块利用超声雾化器使得样品池中的液体样品产生雾汽，通过缓冲室...
李楠骆益凡郑永秋班德越张嘉旭赵阳阳薛晨阳
三维MEMS单片集成矢量水声传感器
本发明提供了一种性能更加优化的三维MEMS单片集成矢量水声传感器。本发明矢量水声传感器包括硅基座框架、十字形悬臂梁、圆形中间连接体、微型柱状体，十字形悬臂梁上设置有八个应变压敏电阻，八个应变压敏电阻分别组成检测X向和Y向...
张国军宋小鹏李振薛晨阳熊继军张文栋
文献传递
微加工工艺应力的喇曼在线测量被引量：3
2006年
针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化硅造成的大,且氧化硅在硅衬底上形成的残余应力是压应力,氮化硅形成的是张应力;刻蚀工艺和键合工艺对硅片造成了相对较大的应力分布,且都为张应力,最大值超过300MPa.
桑胜波薛晨阳张文栋熊继军阮勇张大成郝一龙
关键词：微加工工艺残余应力喇曼
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