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胡志富

作品数：39 被引量：20H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 18篇期刊文章

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇电路
  • 6篇太赫兹
  • 6篇校准
  • 6篇晶体管
  • 6篇功率器件
  • 6篇赫兹
  • 6篇测试夹具
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇散射参数
  • 5篇迁移率
  • 5篇微波
  • 5篇微波功率器件
  • 5篇共面
  • 5篇非线性
  • 5篇非线性模型
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 5篇HEMT
  • 4篇单片
  • 4篇放大器

机构

  • 32篇中国电子科技...
  • 6篇河北半导体研...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国计量科学...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 39篇胡志富
  • 21篇刘亚男
  • 20篇李静强
  • 19篇曹健
  • 18篇何美林
  • 17篇冯彬
  • 16篇杜光伟
  • 7篇崔玉兴
  • 7篇王亚冰
  • 4篇蔡树军
  • 3篇武继斌
  • 3篇冯威
  • 2篇邹学锋
  • 2篇吴爱华
  • 2篇刘晨
  • 2篇李亮
  • 2篇方家兴
  • 2篇梁法国
  • 2篇王生国
  • 2篇王一帮

传媒

  • 9篇半导体技术
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇电子科技
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇通讯世界
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 8篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
石墨烯场效应晶体管的非线性模型
2016年
包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。
杜光伟李佳胡志富冯志红宋旭波
关键词：石墨烯非线性
用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
杜光伟胡志富刘亚男李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
基于线性叠加技术的四倍频单片设计
2017年
针对传统无源四倍频器需要两级二倍频级联且变频损耗较大等问题,利用线性叠加技术,研制了40 GHz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络相级联的方式,设计了四路移相功分结构,实现了基波和其他无用谐波的抑制,简化了电路设计,降低了倍频损耗。根据设计仿真结果,完成了四倍频器的流片与测试工作。实测结果表明,在20 dBm的驱动功率下,最大输出功率为-2.7 dBm。
王亚冰何庆国胡志富
关键词：四倍频单片电路
20W X波段GaN MMIC的研究被引量：2
2009年
张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军
关键词：MMIC微波单片集成电路X波段微波功率器件微带电路电路形式
GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取
2015年
介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件建模的噪声模型,Pucel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型。基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式。利用上述方法,针对200μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4~18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性。
李静强胡志富崔玉兴刘会东
关键词：氮化镓噪声
一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
李静强胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟曹健何美林
微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
李静强曹健胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟何美林王亚冰何锐聪
文献传递
基于线性叠加技术的0.38THz四倍频器设计
2017年
太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 d B。
王亚冰何庆国刘亚男胡志富
关键词：四倍频单片电路
一种微波功率LDMOS器件非线性模型
2016年
对微波功率LDMOS器件进行测试,提出一种新的非线性模型,通过小信号参数提取,建立LDMOS的小信号模型,对多偏置下本征电容的提取,建立LDMOS本征电容的非线性模型,加入LDMOS的直流IV模型并以此为基础确立了微波功率LDMOS的大信号模型,经过此模型的LoadPull仿真及芯片测试对比,表明了该模型可以较准确地模拟LDMOS的微波特性。采用该模型设计了一种功率管放大器,通过最终测试与仿真结果对比,证明了该模型的实用性。
冯彬李静强胡志富李亮
关键词：LDMOS小信号模型大信号模型
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