田小峰
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1
- 2001年
- 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .
- 陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿
- 关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数
- 富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究
- 该文采用光Ⅰ-Ⅴ法、雪崩热电子注入、俄歇电子能谱(AES)分析和红外光谱分析研究等离子体化学相淀积方法(PECVD)低温制备的富氮SiO<,x>N<,y>薄膜的微观物理结构、光学特性和电学特性.研究得出,PECVD方法形...
- 田小峰
- 关键词：等离子体气相淀积俄歇电子能谱红外光谱
- 文献传递
- 富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究(广东省自然科学基金资助项目)
- 田小峰
- 纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究被引量：1
- 2000年
- 研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化;该方法对薄膜界面造成的损伤较小。
- 张昊陈蒲生田小峰冯文修刘小阳
- 关键词：介质膜电子注入纳米级VLSI
