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陈蒲生: 作品数：41 被引量：62H指数：5; 供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金香港裘槎基金更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程自然科学总论更多>>

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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1: 2001年; 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .; 陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿; 关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数

低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究被引量：1: 2004年; 采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界面处元素含量变化激烈 ;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异 ;该薄膜是既含有类似 Si3N4 、又含有类似 Si O2 的非晶状态 ,呈现无序网络结构 ;随着含氮量或含氧量的增多 ,该膜分别向Si3N4 或 Si O2 成分较多的结构转化 ;优化制膜工艺形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能与结构方面得到提高。; 陈蒲生陈闽捷张昊刘小阳王锋; 关键词：介质膜俄歇电子能谱傅里叶红外光谱电学性能

快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究被引量：11: 1990年; 本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。; 陈蒲生杨光有刘百勇; 关键词：SIO2膜热氮化电子陷阱电子注入

氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响: 2004年; 利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响。; 陈平黄美浅李观启李斌陈蒲生; 关键词：钛酸锶钡薄膜物理特性电学特性介电常数

研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法: 1992年; 介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论.; 杨劲陈蒲生; 关键词：电荷特性 MIS结构

光电耦合器的封装胶特性分析被引量：3: 2002年; 讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析。; 田浦延陈蒲生布良基冯文修; 关键词：特性分析隔离电压二氧化硅氧化钛电流传输比光电耦合器

超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系被引量：4: 1998年; 在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ２的势垒高度为３．１３ｅＶ．在较高温度下，因有效隧穿势垒随温度增加而线性地减少，使隧穿电流指数地增加，证实了Ｎ型Ｓｉ半导体费米能级随温度增加而下移的情形．Ｊ２是较高温度及低场下介质膜中热激活电子从一种孤立态到另一种孤立态的跳跃产生一种欧姆导电特性，并求得了电子热激活能Φ２约为０．１６３ｅＶ．; 冯文修陈蒲生黄世平; 关键词：二氧化硅电子隧穿温度关系

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文): 2001年; 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加。; 冯文修田浦延陈蒲生刘剑; 关键词：电子隧穿电流传输特性

雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性: 2000年; 采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施主型界面电子陷阱。揭示出界面陷阱密度在禁带中分布 ,其密度随雪崩注入剂量增加而增大 ,禁带上半部增大得尤其显著。指出雪崩注入过程中在 Si/ PECVD Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系。支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型 ,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析。给出 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 ,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高。; 陈蒲生章晓文冯文修张昊曾绍鸿; 关键词：雪崩

光电耦合器的结构设计及封装胶特性分析被引量：6: 2005年; 研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。; 田浦延陈蒲生; 关键词：光电耦合器电流传输比绝缘电压绝缘距离发光二极管