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王川

作品数：10 被引量：15H指数：3
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇PECVD法
  • 6篇SIO
  • 5篇XN
  • 4篇电学
  • 4篇介质膜
  • 3篇氧化硅
  • 3篇PECVD法...
  • 2篇氮氧化硅
  • 2篇电学特性
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇Y
  • 1篇氮原子
  • 1篇导体
  • 1篇电学性质
  • 1篇有限元网格
  • 1篇原子
  • 1篇栅介质
  • 1篇求交
  • 1篇曲面

机构

  • 9篇华南理工大学
  • 4篇四通公司

作者

  • 10篇王川
  • 7篇陈蒲生
  • 5篇刘小阳
  • 3篇冯文修
  • 2篇曾绍鸿
  • 1篇章晓文
  • 1篇黄世平

传媒

  • 3篇华南理工大学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇"98全国材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 4篇1995
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究被引量：2
1997年
研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制，探索出界面特性与微观组份、衬底工作温度、反应室气压、退火致密、金属化后退火的相互关系。同时给出了获取界面等特性优良的PECVDSiOxNy薄膜的最优化工艺条件，并对实验结果进行了理论分析与讨论。
陈蒲生王川冯文修王锋刘小阳田万廷
关键词：介质膜PECVD半导体薄膜
PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析
1997年
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空气压、衬底工作温度的变化关系。
陈蒲生王锋冯文修王川章晓文
关键词：介质膜Ⅰ-Ⅴ特性击穿机理
用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性被引量：4
1997年
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．
陈蒲生冯文修王川王锋刘小阳田万廷曾绍鸿
关键词：PECVD法半导体薄膜技术
PECVD法制备SiO_xN_y膜中组份对电学特性的影响被引量：5
1995年
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ（金属－绝缘层－半导体）结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性（界面态、固定电荷、平带电压漂移）的影响。
王川陈蒲生王锋
关键词：介质膜电学性质PECVD法氮氧化硅
用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散
1995年
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现；１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后，氮原子浓度降低，分布变得平缓、均匀。
刘小阳陈蒲生王川黄世平
关键词：热氮化氮原子二氧化硅
一种曲面域网格自动生成算法在船体纵向结构建模中的应用
随着计算机和有限元方法的发展，有限元分析方法日益成为现代船舶设计与结构计算的强有力手段。然而船舶有限元建模的瓶颈问题——船体有限元网格的自动划分，依然限制了船舶有限元建模的效率及精度。 本文旨在提出一种适用于船体曲面结构...
王川
关键词：曲面求交外板展开
PECVD法低温形成纳米级薄膜中微观组份对界面电特性影响的分析研究
陈蒲生王川刘小阳
关键词：铁钴铜界面态
PECVD法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性被引量：1
1995年
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已达到或接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。
陈蒲生王川刘小阳王岳曾绍鸿
关键词：电学特性光学特性氮氧化硅PECVD法
PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究被引量：5
1997年
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。
王锋陈蒲生王川刘小阳田万廷
关键词：PECVD法介质膜
PECVD法制备SiO<,x>N<,y>膜电学特性研究
王川
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