田凌
- 作品数：8 被引量：6H指数：1
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- 氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂
- 2006年
- 通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.
- 邓金祥陈浩刘钧锴田凌张岩周涛何斌陈光华王波严辉
- 关键词：氮化硼薄膜N型掺杂离子注入
- 用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜被引量：5
- 2006年
- 利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.
- 田凌丁毅陈浩刘钧锴邓金祥贺德衍陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射压应力
- 半导体氮化硼薄膜的制备及其异质结特性研究
- 立方氮化硼(cBN)是一种超硬宽带隙材料，不仅具有仅次于金刚石的硬度、在高温下有强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应，因此可用于切削工具等，而且，能够实现n型或p型掺杂，在电子学和光学器件等方面有着重要的应用前景。cBN薄...
- 田凌
- 关键词：立方氮化硼射频溅射
- 文献传递
- 石墨烯的制备方法
- 本发明公开了一种低成本、大规模制备大面积、高质量的石墨烯的制备方法。它包括以下步骤：用刻蚀液对碳合金进行刻蚀，去除含碳合金中的非碳元素，得到石墨烯；刻蚀液包括盐酸、硫酸或硝酸中的一种至三种。本发明方法相比现有微机械剥离法...
- 刘德全田凌付玉军杨智博贺德衍
- 文献传递
- 微纳硫颗粒的制备方法
- 本发明公开了一种微纳硫颗粒的制备方法，属于纳米材料领域，以解决微纳尺寸硫颗粒难以大规模生产的问题。该方法以氯化钠与硫粉为原料，通过控制氯化钠和硫粉的比例、球磨时间和球磨速度将氯化钠和硫粉同时球磨研碎，再通过水洗工序去除混...
- 刘德全贺德衍郭鹏乾刘正皎杨欢刘奇明王琦付玉军田凌
- 文献传递
- 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
- 2005年
- 用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(cBN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备cBN薄膜的影响.cBN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于400℃,薄膜中没有立方相的存在;衬底温度为400℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到500℃时,得到了立方相体积分数接近100%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增加.还研究了成核阶段衬底温度对薄膜立方相红外吸收峰峰位的影响.结果显示:随着成核阶段衬底温度的升高,薄膜中立方相吸收峰峰位向低波数漂移,说明薄膜内的压应力随成核阶段衬底温度的升高而降低,薄膜中最小压应力为3.1GPa.
- 陈浩邓金祥陈光华刘钧锴田凌
- 关键词：立方氮化硼射频溅射衬底温度压应力
- c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究被引量：1
- 2006年
- 用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜.通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因.在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高.傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明:当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85%的c-BN薄膜.
- 刘钧锴邓金祥陈浩田凌陈光华
- 关键词：立方氮化硼可重复性射频溅射
- n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性
- 2006年
- 用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5～6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明:离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论.
- 陈浩邓金祥陈光华刘钧锴田凌
- 关键词：伏安特性退火温度
