刘钧锴
- 作品数：13 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究被引量：2
- 2007年
- 从能量和结构两个角度分析了BN四种相的转变过程,以及杂质和缺陷对立方氮化硼(c-BN)薄膜制备的影响.研究了从六角氮化硼(h-BN)到c-BN转变的一个可能的过程,即h-BN→菱形氮化硼(r-BN)→c-BN过程.对纯的h-BN到r-BN的转变需要克服一个很高的能量势垒,在实验室条件下很难能够提供能量来越过这个势垒.而从r-BN到c-BN的转变只需要克服一个很低的能量势垒.这个能量势垒要低于从h-BN到纤锌矿氮化硼(w-BN)转变所需要克服的能量势垒.c-BN薄膜的制备过程中,薄膜在高能粒子轰击下,会产生大量的缺陷,这些缺陷对立方相的形成起到了重要的作用,缺陷和杂质的存在大大降低了从h-BN到r-BN转变的能量势垒.根据这个理论模型,在两步法制备c-BN薄膜的基础上,调整实验参数,形成三步法制备高质量c-BN薄膜.主要研究了三步法中第一步的时间和衬底负偏压对c-BN薄膜制备的影响,找到合适的沉积时间和衬底负偏压分别为5min和-180V.采用三步法制备薄膜,可以重复得到高立方相体积分数(立方相体积分数超过80%)的BN薄膜,并且实验重复性达到70%以上.
- 陈浩邓金祥刘钧锴周涛张岩陈光华
- 关键词：立方氮化硼
- c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究
- 立方氮化硼(c-BN)是一种低密度、超硬、宽带隙、高热导率、高电阻率、高介电强度、高热稳定性和化学稳定性的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料,具有与金刚石相类似的晶体结构。适用于作为超硬刀具涂层,而更为重要的是可被掺杂成为n型和p型半导...
- 刘钧锴邓金祥陈浩田凌陈光华
- 文献传递
- c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究
- 用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因。在两步法之前增加...
- 刘钧锴邓金祥陈浩田凌陈光华
- 关键词：立方氮化硼可重复性射频溅射
- 文献传递
- 氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂
- 2006年
- 通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.
- 邓金祥陈浩刘钧锴田凌张岩周涛何斌陈光华王波严辉
- 关键词：氮化硼薄膜N型掺杂离子注入
- 放电等离子烧结TbFeCo磁光靶材工艺研究被引量：1
- 2003年
- 研究了采用放电等离子烧结技术制备TbFeCo磁光靶材的工艺过程 ,考察了烧结温度对材料组织均匀性和致密度的影响。利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析 ,同时用阿基米德法测量了材料的密度。结果表明 :适当的提高烧结温度可以使材料得到均匀的组织 ,理想的致密度。但过高的烧结温度会造成材料局部组织的熔化 ,使材料的组织均匀性变差 ,10 10℃的烧结温度是制备具有均匀组织和理想致密度Tb(Fe ,Co)
- 岳明刘卫强刘燕琴刘钧锴张久兴
- 关键词：放电等离子TBFECO
- 立方氮化硼薄膜表面的XPS研究被引量：2
- 2004年
- 研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.
- 邓金祥陈浩陈光华刘钧锴宋雪梅朱秀红王波严辉
- 关键词：立方氮化硼薄膜X射线光电子能谱
- 高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展被引量：2
- 2004年
- 文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性 :(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在 90 %以上 ,Eg>6 .0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 .这些高纯c -BN薄膜 ,可应用于制作各种半导体 (主要是高温、高频大功率 )电子器件 .
- 陈光华朱秀红邓金祥刘钧锴陈浩
- 关键词：立方氮化硼薄膜带隙射频溅射电子回旋共振化学气相沉积法SI衬底
- 用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜被引量：5
- 2006年
- 利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.
- 田凌丁毅陈浩刘钧锴邓金祥贺德衍陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射压应力
- SPS制备TbFeCo合金磁光靶材的工艺研究
- 本文系统地研究了采用放电等离子烧结技术制备TbFeCo磁光靶材的工艺过程,其中重点考查了烧结温度对材料组织均匀性和致密度的影响.并利用了扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析,同时用阿基米德法测量...
- 刘卫强岳明刘钧锴张久兴
- 关键词：合金烧结温度
- 文献传递
- 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
- 2005年
- 用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(cBN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备cBN薄膜的影响.cBN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于400℃,薄膜中没有立方相的存在;衬底温度为400℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到500℃时,得到了立方相体积分数接近100%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增加.还研究了成核阶段衬底温度对薄膜立方相红外吸收峰峰位的影响.结果显示:随着成核阶段衬底温度的升高,薄膜中立方相吸收峰峰位向低波数漂移,说明薄膜内的压应力随成核阶段衬底温度的升高而降低,薄膜中最小压应力为3.1GPa.
- 陈浩邓金祥陈光华刘钧锴田凌
- 关键词：立方氮化硼射频溅射衬底温度压应力
