王树堂
- 作品数：23 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
- 1996年
- 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
- 熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
- 关键词：半导体激光器GAINPALGAINP
- 一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
- 1997年
- 在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
- 周洲曾靖归强张玉芳马骁宇王树堂
- 关键词：光电探测器光纤通信CATV
- 高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器被引量：4
- 1997年
- 用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。
- 熊飞克郭良马骁宇王树堂陈良惠
- 关键词：激光器半导体激光器可见光
- 高效发光二极管及其制造方法
- 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(Al...
- 王国宏马骁宇曹青王树堂李玉璋陈良惠
- 文献传递
- AlGaInP高亮度发光二极管被引量：11
- 1999年
- 分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率，而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管，发光波长峰值在６０５ｎｍ，ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ，２０ｍＡ工作电流下，５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ，最大３０ｍｃｄ，平均工作电压１．９Ｖ，透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。
- 李玉璋王国宏马骁宇曹青王树堂陈良惠
- 关键词：发光二极管低压有机金属气相外延铝镓铟磷
- MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
- 1993年
- 讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
- 杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
- 关键词：量子效率
- AlGaInP橙色发光二极管的研制被引量：3
- 1998年
- 利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。
- 王国宏马骁宇王树堂曹青彭怀德李玉璋陈良惠
- 关键词：LP-MOCVD发光二极管
- GaN基蓝光半导体激光器及其在光存储中的应用
- 陈良惠王树堂种明
- 关键词：半导体激光器光存储
- 文献传递
- 长波长InGaAs/InP APD光接收组件
- 1992年
- 在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.
- 胡春阳王树堂曾靖夏彩虹何军周洲
- 关键词：光纤通信APD铟镓砷
- 加强成果转化,坚持技术创新——记八六三光电子主题成果转化基地——光电子器件国家工程研究中心
- 1996年
- 信息光电子技术是光波技术与微电子技术的结合。信息光电子的迅速发展,形成极富生命力的新兴产业。如果说20世纪是电子信息的时代,21世纪则是光电子技术与微电子技术共同发挥作用的时代,而光电子产业更被认为是21世纪具有领导意义的阳光产业。 目前,许多工业化发达国家的政府和大公司都进行了高强度的投资,研究开发光电子器件,积极加入国际高技术竞争行列。
- 李玉璋陈良惠王树堂
- 关键词：光电子器件863计划
