曾靖
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
- 1997年
- 在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
- 周洲曾靖归强张玉芳马骁宇王树堂
- 关键词：光电探测器光纤通信CATV
- MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
- 1993年
- 讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
- 杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
- 关键词：量子效率
- 长波长InGaAs/InP APD光接收组件
- 1992年
- 在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.
- 胡春阳王树堂曾靖夏彩虹何军周洲
- 关键词：光纤通信APD铟镓砷
- InGaAs/InP-SAGM-APD结构的液相外延生长研究
- 1991年
- 本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。
- 杨志鸿王树堂曾靖
- 关键词：INGAAS/INP液相外延外延层生长
- 低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用
- 1996年
- 本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．
- 马骁宇王树堂熊飞克郭良王仲明曾靖王丽明陈良惠
- 关键词：MOCVDINGAASPINP
- 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
- 1990年
- 根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。
- 王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香
- 关键词：雪崩二极管INGAAS
- InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究被引量：1
- 1991年
- 研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。
- 李锋王树堂曾靖樊爱香夏彩虹孙捷胡春阳白金花陈心敏
- 关键词：光电二极管
