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王富田

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇位错
  • 1篇抗辐照
  • 1篇抗辐照加固
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅单晶生长
  • 1篇辐照加固
  • 1篇掺磷

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇王世援
  • 2篇刘锋
  • 2篇王富田
  • 2篇李丹
  • 1篇史继祥
  • 1篇栾国旗
  • 1篇韩焕鹏
  • 1篇赵光军
  • 1篇纪秀峰
  • 1篇李方

传媒

  • 1篇天津科技
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
重掺磷硅单晶生长技术研究被引量：2
2009年
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
刘锋韩焕鹏李丹王富田李方王世援
关键词：硅单晶位错
空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
关键词：抗辐照加固
文献传递
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