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韩焕鹏

作品数:63 被引量:67H指数:4
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
发文基金:国家部委资助项目天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信冶金工程理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 28篇专利

领域

  • 27篇电子电信
  • 4篇冶金工程
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 36篇单晶
  • 19篇硅单晶
  • 13篇晶片
  • 12篇
  • 9篇单晶炉
  • 8篇单晶生长
  • 6篇单晶片
  • 6篇掺杂
  • 5篇锗单晶
  • 5篇直拉法
  • 5篇热屏
  • 5篇硅片
  • 4篇数值模拟
  • 4篇损伤层
  • 4篇位错
  • 4篇削片
  • 4篇晶体
  • 4篇拉制
  • 4篇减薄
  • 4篇半导体

机构

  • 32篇中国电子科技...
  • 27篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 63篇韩焕鹏
  • 24篇杨洪星
  • 19篇张伟才
  • 18篇杨静
  • 12篇赵权
  • 8篇刘锋
  • 7篇张伟才
  • 6篇莫宇
  • 6篇杨静
  • 5篇庞炳远
  • 4篇周传月
  • 4篇耿博耘
  • 4篇刘锋
  • 4篇刘峰
  • 4篇索开南
  • 4篇李丹
  • 3篇吴磊
  • 3篇王世援
  • 3篇王雄龙
  • 3篇刘锋

传媒

  • 15篇电子工业专用...
  • 6篇半导体技术
  • 4篇天津科技
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇电子工艺技术
  • 1篇电源技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇光电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 5篇2020
  • 5篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
63 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新型的硅片研磨后清洗液被引量:1
2020年
基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。为减小清洗后硅片的表面粗糙度和表面划痕损伤,确定了最佳的硅片清洗温度为65℃,清洗剂原材料溶于水后配制的清洗液的pH值为10.5,清洗时间为180 s。新型清洗液与传统硅片清洗液的对比实验表明,采用新的清洗液可明显降低硅片表面粗糙度,改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。
李明智韩焕鹏常耀辉张颖武莫宇刘峰
关键词:表面活性剂烷基苯磺酸盐粗糙度润湿角
一种制作异形硅单晶抛光片的方法
本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法,包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片,将硅片贴膜后,使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。...
陈晨杨洪星韩焕鹏庞炳远何远东范红娜杨静张伟才赵权
文献传递
一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
本发明公开了一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法,该加工方法包括磨削、贴膜、去膜、化学腐蚀等步骤,首先对锗单晶片的背面顺磨磨削减薄,然后背面贴膜对正面进行逆磨磨削减薄,通过紫外灯照射去膜,最后对锗单晶片进行化学腐蚀处理,即得...
何远东韩焕鹏王雄龙张伟才赵权杨洪星陈晨杨静李明佳
文献传递
一种锗单晶片的单面研磨方法
本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法,包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤,首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片;通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片;通过加...
何远东杨洪星刘玉岭赵权武永超韩焕鹏陈晨
直拉硅单晶宽面控制工艺研究
2017年
探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了控制单晶宽面的最优工艺,获得了外形大幅优化的<111>晶向硅单晶。
史继祥韩焕鹏
一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法
本发明公开了一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法。在直拉法硅单晶生长过程中,增加氨气高温离解装置,将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g),N(g)溶解于硅熔体,并扩散至单晶生长固、液交界面处,然后随着生长过程的进行...
张颖武韩焕鹏赵堃李明佳莫宇张伟才赵权刘锋
辐射探测器用高纯锗单晶技术研究被引量:4
2012年
高纯锗单晶可以用作制备X射线辐射探测器。介绍了锗辐射探测器的研究现状与结构,论述了辐射探测器对高纯锗单晶的净杂质浓度、位错方面的要求。介绍了目前高纯锗生长主要的提纯方法和单晶生长方法,论述了以上这两种方法的主要技术特点。
刘锋耿博耘韩焕鹏
关键词:辐射探测器单晶生长
清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响被引量:3
2011年
超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清洗效果相对较好,同时研究了清洗时间对硅研磨片清洗效果的影响。
陈琪昊吕菲刘峰韩焕鹏莫宇
关键词:硅片超声波清洗
InP单晶材料性能及制备方法被引量:2
2018年
介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。
张伟才韩焕鹏杨静
重掺磷硅单晶生长技术研究被引量:2
2009年
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3~1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
刘锋韩焕鹏李丹王富田李方王世援
关键词:硅单晶位错
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