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柏文斌
作品数:
30
被引量:0
H指数:0
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈吕赟
电子科技大学ic设计中心
吴琼乐
电子科技大学ic设计中心
管超
电子科技大学ic设计中心
王泽华
电子科技大学ic设计中心
方健
电子科技大学
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电子电信
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电平位移
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机构
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电子科技大学
作者
30篇
柏文斌
27篇
王泽华
27篇
管超
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吴琼乐
27篇
陈吕赟
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方健
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杨毓俊
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黎俐
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电子元器件应...
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信息与电子工...
年份
2篇
2013
14篇
2012
14篇
2011
共
30
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一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器,具体包括初级线圈和次级线圈,所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器,所述的集成变压器...
方健
杨毓俊
黎俐
唐莉芳
王泽华
柏文斌
陈吕赟
吴琼乐
管超
李曼
梁晨陇
文献传递
一种电流采样电路
本发明公开了一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输出运...
方健
王泽华
吴琼乐
陈吕赟
管超
柏文斌
杨毓俊
黎俐
一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
方健
吴琼乐
陈吕赟
王泽华
蒋辉
管超
柏文斌
黎莉
杨毓俊
一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输...
方健
王泽华
吴琼乐
陈吕赟
管超
柏文斌
杨毓俊
黎俐
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健
陈吕赟
管超
王泽华
吴琼乐
柏文斌
杨毓俊
黎俐
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷,本发明提出了一种电平位移电路,包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
高大伟
陈吕赟
杨毓俊
罗杰
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,其特征在于,在衬底和外延层的交界面上紧贴漂移区的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型...
方健
陈吕赟
李文昌
管超
吴琼乐
柏文斌
王泽华
文献传递
一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件,包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极,在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健
陈吕赟
柏文斌
王泽华
吴琼乐
管超
李文昌
于廷江
杨毓俊
黎俐
文献传递
一种新型电流极限比较电路
2011年
本文主要介绍一种新型电流极限比较电路。该电路提供过流,限制流过LDMOS上的电流,同时根据负载状况调节电流极限值,从而达到调整占空比的作用。分析了该新型电流极限比较电路的电路结构与工作原理。采用1μmCMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真和流片测试,证明本文提出的电流极限比较电路正确可行。
柏文斌
李曼
关键词:
比较器
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷,本发明提出了一种电平位移电路,包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
高大伟
陈吕赟
杨毓俊
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