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吴琼乐

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 11篇电平位移
  • 7篇电路
  • 6篇电阻
  • 4篇电平
  • 4篇多晶
  • 4篇振荡器
  • 4篇漂移
  • 4篇外延层
  • 4篇紧贴
  • 4篇回路电阻
  • 4篇高压LDMO...
  • 4篇版图
  • 4篇表面电场
  • 3篇单端
  • 3篇单端输出
  • 3篇电流采样
  • 3篇电流采样电路
  • 3篇电路版图
  • 3篇电源
  • 3篇电源电路

机构

  • 28篇电子科技大学

作者

  • 28篇吴琼乐
  • 27篇王泽华
  • 27篇管超
  • 27篇陈吕赟
  • 27篇柏文斌
  • 25篇方健
  • 20篇杨毓俊
  • 12篇黎俐
  • 7篇李文昌
  • 6篇罗杰
  • 5篇于廷江
  • 4篇关旭
  • 4篇向莉
  • 3篇梁晨陇
  • 3篇唐莉芳
  • 3篇黄国辉
  • 3篇高大伟
  • 3篇李曼
  • 2篇蒋辉
  • 2篇黎莉

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇信息与电子工...

年份

  • 2篇2013
  • 13篇2012
  • 13篇2011
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高压电平位移电路
本发明公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题，本发明提出了一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMO...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华陈吕赟杨毓俊罗杰李文昌于廷江黄国辉
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，其特征在于，在衬底和外延层的交界面上紧贴漂移区的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型...
方健陈吕赟李文昌管超吴琼乐柏文斌王泽华
一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极，在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健陈吕赟柏文斌王泽华吴琼乐管超李文昌于廷江杨毓俊黎俐
一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
文献传递
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健陈吕赟管超王泽华吴琼乐柏文斌杨毓俊黎俐
文献传递
一种双模式片内电源电路
本实用新型公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本实用新型的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使...
方健管超柏文斌王泽华关旭陈吕赟吴琼乐
文献传递
一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器...
方健杨毓俊黎俐唐莉芳王泽华柏文斌陈吕赟吴琼乐管超李曼梁晨陇
文献传递
一种电流采样电路
本发明公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输出运...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊
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