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高K栅介质可靠性研究: 当CMOS技术进入到45nm技术代以后，将需要利用高K栅介质材料替代传统的SiO2或SiNxOy栅介质以克服其不可接受的高的栅泄漏电流，其中HfO2被认为是最有希望的高K栅介质材料候选者之一。本论文针对金属栅/高K栅介质...; 杨红; 文献传递

Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制被引量：7: 2003年; 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有助于减少Al2 O3 栅介质中的氧空位缺陷 .对Al2 O3 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流可能由Schot tky发射和Frenkel Poole发射两种机制共同引起 .; 任驰杨红韩德栋康晋锋刘晓彦韩汝琦

具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究被引量：1: 2006年; 研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO_2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征:HfN/HfO_2栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.; 萨宁康晋锋杨红刘晓彦张兴韩汝琦; 关键词：高K栅介质

超薄HfO_2高K栅介质薄膜的软击穿特性被引量：4: 2005年; 研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象。分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜的击穿特性,实验结果表明,在两种应力方式下HfO2栅介质均发生了软击穿现象,软击穿和硬击穿的机理不同。; 韩德栋康晋锋杨红韩汝琦; 关键词：软击穿

中美投资基金业发展比较研究: 投资基金作为一种社会化的理财工具，在发达国家已经成为整个金融体系的重要组成部分，在美国甚至已经取代了商业银行的传统优势地位，对金融及经济发展产生了深刻的影响。近年来中国投资基金业也逐步规范化发展并且开始发挥越来越重要的作...; 杨红; 关键词：投资基金业绩效评价

Al_2O_3高k栅介质的可靠性被引量：2: 2003年; 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中 ,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象 .不同栅压应力作用的测试结果表明 ,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素 ,其对应的介质击穿电荷QBD约为 30～ 60C/cm2 .; 杨红康晋锋韩德栋任驰夏志良刘晓彦韩汝琦; 关键词：高K栅介质可靠性时变击穿

HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：11: 2004年; 利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由 Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流由 Schottky发射和 Frenkel-Poole发射两种机制共同引起 .通过对 SIL C的分析 ,在没有加应力前 Hf O2 / Si界面层存在较少的界面陷阱 ,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱 ,随着新产生界面陷阱的增多 ,这时在衬底注入的情况下 ,电流传输机制就不仅仅是由 Schottky发射机制引起 ,而存在 Frenkel- Poole发射机制起作用 .同时研究表明面积对 SIL; 王成刚韩德栋杨红刘晓彦王玮王漪康晋锋韩汝琦; 关键词：HFO2栅介质 SILC PACC EEACC

北京软件产业价值链分工与国际外包战略研究: 软件产业的全球化与区域化是城市与区域经济学研究的新问题.作为推动经济全球化和未来商业模式转变的重要创新推动力,软件产业对中国在新的技术革命浪潮中寻求跨越式发展和抢占现代高科技竞争领域的制高点具有重要意义.该文采用区域价值...; 杨红; 关键词：软件产业链价值链软件外包

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杨红