任驰
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制被引量：7
- 2003年
- 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有助于减少Al2 O3 栅介质中的氧空位缺陷 .对Al2 O3 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流可能由Schot tky发射和Frenkel Poole发射两种机制共同引起 .
- 任驰杨红韩德栋康晋锋刘晓彦韩汝琦
- Al_2O_3高k栅介质的可靠性被引量：2
- 2003年
- 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中 ,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象 .不同栅压应力作用的测试结果表明 ,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素 ,其对应的介质击穿电荷QBD约为 30～ 60C/cm2 .
- 杨红康晋锋韩德栋任驰夏志良刘晓彦韩汝琦
- 关键词：高K栅介质可靠性时变击穿
