杨爱国
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 以Liq∶Rubrene为发光层的白色有机电致发光器件的研制被引量：2
- 2007年
- 以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2.
- 吴有余土克旭李海蓉欧谷平张福甲杨爱国
- 关键词：白色有机电致发光器件色坐标亮度
- 磁控溅射法制备氧化钒薄膜及其特性研究
- 本文研究的主要目的是开发空间保护薄膜材料。论文介绍以石英片为基底材料，采用直流/射频磁控共溅射方法制备了非掺杂、掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜，重点探索了用这种方法制备非掺杂、掺杂氧化钒薄膜的工艺条件，发展了一种用反应气体和...
- 杨爱国
- 关键词：磁控溅射法氧化钒薄膜
- 掺杂氧化钒薄膜的制备及其热光特性被引量：2
- 2008年
- 以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析。实验及测试结果表明,在氧化钒薄膜中掺入Ti杂质与掺入Al杂质相比,对薄膜的热光性质的改变所起的作用更为明显。增大Ti杂质的含量对薄膜的电阻-温度特性、相变温度,以及相变滞豫区的改善比较明显,但提高了薄膜的相变温度,而掺Al引起的变化规律与此相反。
- 杨爱国杨子健杨建红冯浩李冠斌崔敬忠
- 关键词：氧化钒薄膜磁控溅射掺钛
- 掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质被引量：1
- 2009年
- 以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺Al、掺Ti的VO2薄膜。对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试。结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及Ti元素可以有效提高相变前后电阻率变化幅度,并且用半导体能带理论对VO2薄膜光电性质改变的原因及掺杂对其造成的影响予以解释,提出了影响相变滞豫的原因及改善方法。最后对磁控共溅射沉积方法制备掺杂薄膜的工艺方法提出了改进。
- 杨子健杨爱国杨建红冯浩李冠斌崔敬忠
- 关键词：二氧化钒薄膜磁控共溅射掺杂光电特性
