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徐晨曦

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氧注入
  • 1篇离子注入
  • 1篇模拟器
  • 1篇SIMOX
  • 1篇SOI结构
  • 1篇VLSI
  • 1篇氧

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇徐晨曦
  • 2篇阮刚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS
1990年
本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。
徐晨曦阮刚
关键词：VLSI离子注入模拟器
注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
1989年
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
阮刚徐晨曦俞强
关键词：SIMOX氧注入
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共1页<1>
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