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阮刚

作品数：43 被引量：90H指数：5
供职机构：复旦大学更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

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  • 1篇理学

主题

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  • 3篇互连线
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  • 3篇VLSI电路
  • 3篇值模拟
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  • 2篇电流密度
  • 2篇电路芯片
  • 2篇氧化硅

机构

  • 43篇复旦大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇天津大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇合肥学院
  • 1篇香港大学

作者

  • 43篇阮刚
  • 5篇牛国富
  • 5篇朱兆旻
  • 4篇肖夏
  • 3篇宋任儒
  • 3篇梁擎擎
  • 2篇薛乐川
  • 2篇冯向明
  • 2篇姚素英
  • 2篇徐晨曦
  • 2篇陈智涛
  • 2篇张斌
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  • 1篇王曦
  • 1篇肖夏
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传媒

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年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 8篇2000
  • 7篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 3篇1989
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ANSYS在VLSI互连模拟中的应用被引量：2
2000年
介绍了ANSYS程序在VLSI互连几何最佳化设计中的初步应用。应用表明:ANSYS的模拟精度高,图形显示功能强。应用ANSYS自动寻优功能使RC延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。
阮刚梁庆龙ReinhardStreiter宋任儒ThomasOttoThomasGessner
关键词：集成电路VLSI
共振隧穿二极管电流密度-电压曲线数值计算中积分方法的改进被引量：1
1999年
提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法，此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其电路的计算机辅助设计。
梁擎擎阮刚张斌
关键词：共振隧穿二极管电流密度
硅片Map图信息的提取和利用
1995年
分析了硅片Ｍａｐ图所提供的生产成品率和各类不合格芯片的位置分布信息，讨论了利用硅片之间Ｏｖｅｒｌａｐ法（重叠法）和硅片上Ｗｉｎｄｏｗ法（窗口法）对Ｍａｐ图进行的统计。着重讨论了：按硅片中不合格芯片密度的显著差异划分边缘区及中心区；不合格芯片局部聚集现象的定量表示；随机性强的不合格芯片的统计分布；有关信息由相应Ｃ语言软件自动提取，与Ｍａｐ图计算机测试进行联用，可用于生产监控、影响成品率因素分析和工艺缺陷的深入研究。
张东红阮刚
关键词：硅片MAP图成品率
集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验被引量：4
1999年
本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验，用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺，并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％以内，与集成电路器件模拟软件ＳＰＩＳＣＥＳ联用校验了ＳＳＵＰＲＥＭ４的全工序模拟结果，校验结果有较大参考价值．
阮刚庞海舟冒慧敏
关键词：集成电路
AlGaAs／InGaAs／GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究
1996年
本文用蒙特卡罗法研究了ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数．同ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构的情况一样，平行速度相关函数呈现振荡，但不同的是振幅随电子密度变化很小．另外，振幅在ＩｎＧａＡｓ层厚度增加时下降．用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数．
吴渊牛国富阮刚
关键词：ALGAASINGAAS砷化镓
ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景被引量：6
2002年
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
阮刚陈智涛肖夏朱兆旻段晓明
关键词：ULSI低介电常数介质
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
1995年
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％
牛国富阮刚
关键词：渡越时间速度过冲MOSFET沟道物理模型
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型被引量：3
1993年
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。
牛国富阮刚
关键词：硅膜二氧化硅SOI结构埋层SIMOX
适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型被引量：3
1996年
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发生Ｋｉｒｋ效应的临界电流时，本模型考虑了集电结附近由窄到宽的禁带变化对集电极电流和特征频率ｆＴ的影响．解析模型的计算结果同数值模拟结果一致，证明了解析模型是可信和精确的．本模型可用于器件设计和电路模拟．
钱晓州阮刚
关键词：双极型晶体管电流特性频率特性大电流
低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景被引量：25
2000年
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
阮刚肖夏朱兆
关键词：低介电常数材料无机介质
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