张冠杰
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展被引量：4
- 2006年
- 介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。
- 张冠杰舒永春刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：光电子学垂直外腔面发射激光器光抽运超短脉冲
- AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长被引量：2
- 2005年
- 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。
- 张冠杰舒永春皮彪姚江宏林耀望舒强刘如彬王占国许京军
- 关键词：分布布拉格反射镜高反射率
- 调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4
- 2006年
- 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.
- 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国
- 关键词：二维电子气量子霍尔效应
- 固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文)被引量：1
- 2005年
- 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δSi掺杂AlGaAs/GaAs结构材料。InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料。成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料。
- 张冠杰舒永春皮彪邢小东林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：兼容性高电子迁移率分子束外延
- 量子点红外探测器的特性与研究进展被引量：3
- 2005年
- 半导体材料红外探测器的研究一直吸引人们非常广泛的兴趣.以量子点作为有源区的红外探测器从理论上比传统量子阱红外探测器具有更大的优势.文章讨论了量子点红外探测器几个重要的优点,包括垂直入射光响应、高光电导增益、更低的暗电流、更高的响应率和探测率,等等.此外,报道了量子点红外探测器研究中一些最新的实验结果.在此基础上,分析了现存问题,并提出了进一步提高器件性能的几种可能途径.
- 张冠杰舒永春姚江宏舒强邓浩亮贾国治王占国
- 关键词：量子点红外探测器暗电流探测率红外探测器量子点半导体材料垂直入射
- 产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展被引量：2
- 2006年
- 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)在产生超短脉冲方面显示了优越的特性,在脉冲宽度、平均输出功率和脉冲重复频率等方面都得到了与传统超短脉冲激光器可比的结果,显示出巨大的发展潜力。本文综合分析了用于产生超短脉冲的OPS-VECSEL的基本原理和最新研究进展,并探讨了该领域的发展方向和应用前景。
- 刘如彬舒永春张冠杰舒强林耀望姚江宏王占国
- 关键词：超短脉冲
- 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
- 2006年
- 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.
- 张冠杰徐波陈涌海姚江宏林耀望舒永春皮彪邢晓东刘如彬舒强王占国许京军
- 关键词：量子点喇曼散射
- GaAs基多量子阱和自组织量子点材料的MBE优化生长及其特性的研究
- 本论文“GaAs基多量子阱和自组织量子点材料的MBE优化生长及其特性的研究”的内容包括：MBE系统原理与外延材料的表征方法、多量子阱材料的生长与结构特性研究、AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱材料的光谱和非线性光学性...
- 张冠杰
- 关键词：半导体材料砷化镓量子点
- 文献传递
- InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究被引量：1
- 2006年
- 对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAs LO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)(?)偏振条件下为非拉曼活性。
- 张冠杰陈涌海姚江宏舒强刘如彬舒永春王占国许京军
- 关键词：光电子学与激光技术量子点拉曼散射声子
