孙沿林
- 作品数：4 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算被引量：11
- 2004年
- 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。
- 孙立忠陈效双郭旭光孙沿林周孝好陆卫
- 关键词：密度泛函理论FLAPW碲化镉
- (Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究被引量：8
- 2004年
- 用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体 (Ga ,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响 .计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列 .Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变 .Mn分布无序使空穴的局域性加强 .总能计算结果表明 (Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇 .
- 郭旭光陈效双孙沿林周孝好孙立忠陆卫
- 关键词：稀磁半导体密度泛函理论电子结构
- 碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究被引量：10
- 2005年
- 利用基于第一性原理的全电子势线性缀加平面波方法计算了在碲镉汞材料中Hg空位所引起的晶格弛豫以及空位对周围原子成键机制的影响 .通过成键过程中电荷密度的变化以及电荷转移的讨论 ,论述了碲镉汞材料Hg空位引起的弛豫以及这种弛豫产生的主要原因 .通过态密度的计算和分析 ,发现Hg空位的形成将导致第一近邻阴离子Te的 5s态能量向高能端移动了 0 5 5eV ,并借助Te 5s态电荷密度与成键电荷密度的计算结果 ,分析了引起该能态能量平移的主要原因 .通过带边态密度变化以及Kohn Sham(KS)单电子能级的计算和分析 ,得出了Hg空位使碲镉汞材料的光跃迁能量变小响应波长变长 ,等效于材料带隙变小的结论 .通过KS电子能级的计算分析得到了Hg空位缺陷引起的双受主能级随不同电离态的变化趋势 .
- 孙立忠陈效双周孝好孙沿林全知觉陆卫
- (Ga,Mn)As体系中Mn自补偿效应的第一性原理研究被引量：8
- 2004年
- 基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子 (MnI)对 (Ga ,Mn)As体系电子结构和磁性的影响 .计算结果表明MnI 在GaAs中是施主 ;代替Ga位的MnGa 与MnI 的自旋按反铁磁序排列 ;静电相互作用使MnGa,MnI 倾向于形成MnGa_MnI 对 .MnI 的存在一方面补偿了 (Ga ,Mn)As中的空穴 ,降低了空穴浓度 ;同时还使邻近的MnGa失活 .MnI 的存在对获得高居里温度的 (Ga ,Mn)
- 郭旭光陈效双孙沿林周孝好孙立忠陆卫
- 关键词：第一性原理反铁磁赝势高居里温度施主
