搜索到61篇“ FLAPW“的相关文章
- 基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法
- 基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法属于铁磁性材料的磁记忆信号检测技术领域，尤其涉及一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法。本发明包括以下步骤：步骤1）：建立磁力学模型；步骤2）：FLAPW全势线性缀加平面...
- 刘斌何璐瑶任建
- 文献传递
- 基于FLAPW算法屈服极限磁记忆信号特征的研究被引量：2
- 2018年
- 磁记忆法可以有效判断铁磁性金属构件的应力集中区域。但是,目前铁磁性构件屈服极限处的磁记忆信号特征尚不明确,因此难以根据磁记忆信号对构件的使用寿命进行有效评估。根据电子自旋理论和洪德法则,建立了磁力学模型,分析了材料电子壳层的电荷密度、原子磁矩与磁记忆信号的关系,基于全势线性缀加平面波法（FLAPW）,计算了铁磁性金属构件屈服极限前后系统能量、原子磁矩、电子自旋分布以及电荷密度的变化规律,分析了屈服极限前后的磁记忆信号特征。研究结果表明：铁磁性构件在屈服极限前,随着应力增加,电荷密度和原子磁矩减小,磁记忆信号与应力呈线性变化关系,具有很好的重复性;在屈服极限后,由于铁磁性金属构件的加工硬化能力减小,随着应力继续增加,电荷密度与原子磁矩增加,磁记忆信号出现反转特性。
- 刘斌何璐瑶王缔石萌郑思檬
- 关键词：屈服极限磁记忆电荷密度原子磁矩
- 基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法
- 基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法属于铁磁性材料的磁记忆信号检测技术领域，尤其涉及一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法。本发明包括以下步骤：步骤1）：建立磁力学模型；步骤2）：FLAPW全势线性缀加平面...
- 刘斌何璐瑶任建
- 一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法
- 一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法属于铁磁性材料的磁记忆信号检测技术领域，尤其涉及一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法。本发明提供一种基于FLAPW算法的磁记忆信号特征研究方法。本发明包括以下步骤：...
- 刘斌何璐瑶任建
- 文献传递
- FLAPW方法研究δ-钚(001)面的性质
- 2005年
- 采用FLAPW(全势线性缀加平面波)方法,在广义梯度近似(GGA)、反铁磁(AFM)下研究了δ-钚(001)面的性质。计算得到的表面能系数和功函数分别为0 08eV/ 2和3 15eV,接近其近邻元素α-铀的实验值(0 094eV/ 2和3 4～3 9eV)。与体相原子相比,表层原子由于近邻原子数目的减少,5f-5f和5f-6d轨道波函数重叠、杂化几率降低,5f电子定域化特性增强,局部磁矩增大。表层原子向内收缩2 70%,然而,由于表面弛豫能很小,δ-钚(001)面相当稳定。
- 李赣赖新春孙颖
- 关键词：表面性质
- FLAPW方法研究δ-钚单层表面几何和电子结构被引量：8
- 2005年
- 采用全势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了单层δ-钚(100)和(111)面的几何和电子结构.结果表明,自旋-轨道耦合对平衡几何结构的影响强于自旋极化,与体相相比,表面晶格常数显著收缩,实验上可选择晶格常数相对较小的物质作为δ-钚薄膜的沉积基体.表面原子由于近邻原子数目的减少,5f电子波函数重叠几率的降低,更多地表现出局域化特征,(100)面5f电子的局域化程度强于(111)面.
- 李赣赖新春孙颖
- FLAPW方法研究α-铀(001)面的弛豫和电子结构
- 2005年
- 采用FLAPW(全势线性缀加平面波)方法研究了α铀(001)面的弛豫和电子结构.结果表明, α铀表层原子向内收缩2. 9%,次表层和第三层原子分别向外膨胀1. 1%和0. 2%,弛豫能主要由表层和次表层原子的弛豫组成.由于短程屏蔽效应,原子间的相互作用主要局限于近邻原子层之间.相对于体相原子,表层原子由于近邻原子数目的减少, 5f电子轨道波函数重叠、杂化几率降低,能带变窄,定域化性质增强.
- 李赣赖新春孙颖
- 关键词：表面弛豫定域化
- α-铀(001)面驰豫效应和电子结构的FLAPW方法研究
- 本文采用FPLAPW(全势线性缀加平面波)方法研究了α-铀(001)面的驰豫效应和电子结构.结果表明,表层原子向内收缩3.2﹪,第二层和第三层原子分别向外膨胀1.5﹪和0.3﹪,弛豫能主要由表层和第二层原子的驰豫组成.由...
- 李赣赖新春孙颖
- 关键词：定域化电子结构
- Cu低维体系结构和电子性质的FLAPW方法计算
- 低维度体系的研究是当前纳米科技研究的热点之一，运动于低维体系中的电子受到不同程度的量子限制，从而使材料表现出一些特殊的性质。
由于最近实验技术的巨大进步，激发了对于低维体系研究的极大兴趣，尤...
- 王贵春
- 关键词：CU低维体系
- 文献传递
- Impact ionization and auger recombination in semiconductors: implementation within the FLAPW code
- We present a method to calculate impact ionization and Auger recombination rates within density functional the...
- S. Picozzi
相关作者
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- 朱正和
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- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院原子与分子物理研究所
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- 陈波
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- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 研究主题：光学元件 中子衍射 高功率固体激光器 中子 自适应光学
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- 供职机构：四川大学
- 研究主题：LANI FLAPW 储氢材料 生成焓 LANI5
