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刘汝萍

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇砷化镓
  • 4篇均匀性
  • 3篇阈值电压
  • 3篇阈值电压均匀...
  • 3篇MESFET
  • 2篇背栅
  • 2篇背栅效应
  • 2篇GAAS
  • 1篇离子注入
  • 1篇金属
  • 1篇半绝缘
  • 1篇PSPICE...
  • 1篇TH
  • 1篇IC
  • 1篇MESFET...

机构

  • 5篇中国科学院上...
  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 5篇夏冠群
  • 5篇刘汝萍
  • 4篇赵建龙
  • 3篇吴剑萍
  • 2篇詹琰
  • 1篇张美圣
  • 1篇李传海
  • 1篇郝幼申
  • 1篇毛友德
  • 1篇翁建华
  • 1篇丁勇

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇电子学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响被引量：3
1999年
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．
刘汝萍赵建龙夏冠群吴剑萍顾成余詹琰
关键词：MESFET砷化镓背栅效应均匀性
半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
2000年
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大．
刘汝萍夏冠群赵建龙翁建华张美圣郝幼申
关键词：MESFET背栅效应砷化镓半绝缘
GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析被引量：1
1999年
本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法，并计算三种不同ＧａＡｓＩＣ对阈值对电压均匀性的要求，结果表明，ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低，σＶｔｈ为２１８ｍＶ，ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高，σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ．模拟计算还提出：优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同；工艺不同，电路对阈值电压均匀性的要求也不同．这些理论计算分析的结果对ＧａＡｓＩＣ的电路设计和工艺选择均有重要指导意义．
吴剑萍夏冠群赵建龙刘汝萍
关键词：IC阈值电压均匀性PSPICE模拟砷化镓
不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究
2001年
分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。
李传海毛友德丁勇刘汝萍夏冠群
关键词：阈值电压均匀性离子注入砷化镓MESFET
不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
2001年
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET
刘汝萍夏冠群赵建龙吴剑萍詹琰
关键词：阈值电压砷化镓
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