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刘建

作品数：20 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 4篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇半导体
  • 12篇半导体技术
  • 7篇JFET
  • 5篇电流
  • 5篇电路
  • 5篇恒流
  • 4篇电压
  • 4篇浪涌保护电路
  • 4篇极区
  • 4篇保护电路
  • 3篇导电类型
  • 3篇功率
  • 3篇功率LED
  • 2篇第三电极
  • 2篇电极
  • 2篇电子电路
  • 2篇源极
  • 2篇三电极
  • 2篇双极型
  • 2篇双向晶闸管

机构

  • 20篇电子科技大学

作者

  • 20篇刘建
  • 15篇李泽宏
  • 7篇赖亚明
  • 6篇宋文龙
  • 4篇任敏
  • 4篇张金平
  • 4篇张建刚
  • 2篇宋洵奕
  • 2篇刘永
  • 2篇吴明进
  • 2篇汪榕
  • 1篇李果
  • 1篇罗小蓉
  • 1篇单亚东
  • 1篇魏杰
  • 1篇陈文锁

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2007
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种JFET器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件，其特征在于，所述P+栅极区1的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有...
李泽宏刘建赖亚明吴玉舟
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用于旁路二极管的VDMOS设计
旁路二极管（Bypass Diode）主要用于光伏发电中太阳能电池阵列的旁路开关，当太阳出现阴影或其它异常导致光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路二极管流过而不会阻断。　　与传统PN结型和肖特基型旁路二极管相比，新型...
刘建
关键词：旁路二极管VDMOS器件电学特性
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高压低损耗功率半导体器件关键技术与应用
罗小蓉陈文锁刘建朱坤峰魏杰张
功率芯片是国家芯片战略产业的重要组成，是“后摩尔时代”的重要发展方向。功率半导体器件是电子装置中电源、驱动、控制等系统的核心器件，是装置的“心脏”，其在电能转换与控制过程需承受高压大电流，故是节能减排的基础环节，其中功率...
关键词：
关键词：功率半导体器件集成电路工艺整流器
一种绝缘栅双极型半导体器件
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种...
李泽宏邹有彪宋文龙李果刘建吴明进
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一种JFET器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在沟道中引入了电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)，电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)位于P+栅区(1)两端并与...
李泽宏赖亚明刘建吴玉舟
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一种JFET器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在栅区一端引入了浅槽辅助层13，浅槽辅助层13靠近源端一侧，利用此浅槽辅助层13来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电...
李泽宏赖亚明刘建弋才敏吴玉舟伍济
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一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法
本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶...
李泽宏邹有彪刘建顾鸿鸣宋文龙任敏张金平
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一种绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的...
李泽宏邹有彪顾鸿鸣宋文龙单亚东刘建吴明进
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一种基于交流电供电的线性LED驱动电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种基于交流电供电的线性LED驱动电路。本发明的线性LED驱动电路，包括整流桥电路和多个LED模块，其特征在于，还包括采样电路、逻辑控制电路和多个恒流模块；所述整流桥电路与采样电路、...
李泽宏张建刚李蜀一刘建弋才敏肖诩汪榕
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一种浪涌保护电路及其制造方法
本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第...
李泽宏邹有彪刘建宋文龙宋洵奕张金平任敏
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共2页<12>
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