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陶春旻
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
南京大学
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发文基金:
江苏省自然科学基金
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
郑有炓
南京大学
陈堂胜
南京电子器件研究所
焦刚
南京电子器件研究所
孔月婵
南京大学
陶亚奇
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年份
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2006
共
2
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AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
被引量:2
2006年
采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.
陶春旻
陶亚奇
陈诚
孔月婵
陈敦军
沈波
焦刚
陈堂胜
张荣
郑有炓
关键词:
二维电子气
A1N的缺陷能级和应变研究
氮化铝(AlN)是直接带隙半导体,禁带宽度为6.2eV,近来被用来做金属—绝缘体—半导体(MIS)结构的绝缘体。与传统的作为绝缘体的SiOx相比,AlN具有更好的晶体质量,较大的介电常数,且更适用于以Ⅲ族氮化物为基的MI...
陶春旻
关键词:
氮化铝
光致发光谱
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