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孔月婵: 作品数：201 被引量：119H指数：6; 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

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一种金刚石基GaN‑HEMTs制备方法: 本发明涉及一种金刚石基GaN‑HEMTs制备方法，其步骤为：清洗GaN圆片和临时载片表面；制备键合中间层；在临时载片表面注入氢离子；将GaN圆片和临时载片表面进行活化；将GaN圆片和临时载片进行键合；将GaN圆片的衬底减...; 戴家赟吴立枢孔月婵陈堂胜; 文献传递

GaN功率IC与Si CMOS驱动异质集成芯片的制备方法: 本发明公开了一种GaN功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯片的制备方法，将GaN功率IC功能薄层与SiCMOS驱动衬底进行集成，通过微电子工艺中的微带线工艺实现信号的互联，构建GaN基功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯...; 戴家赟周建军王登贵王钊孔月婵

一种金刚石与氮化镓集成的方法: 本发明是一种金刚石与氮化镓集成的方法，首先清洗氮化镓外延片和临时载片，然后将两者正面相对临时键合，键合后将氮化镓外延片的衬底去除，再将以临时载片为支撑的氮化镓外延层与金刚石衬底放入去离子水中贴合在一起，然后放在旋转台甩干...; 吴立枢孔月婵戴家赟陈堂胜; 文献传递

一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法: 本发明公开了一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法，该装置包括光纤固定槽、光耦合端面、SiO<Sub>2</Sub>悬臂梁支撑结构、SiO<Sub>2</Sub>悬空光波导、LNOI锥形芯层、过渡结构、LNOI光波导...; 钱广周奉杰唐杰顾晓文孔月婵陈堂胜

W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法: 本发明是W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法，其结构包括处理器、探针台、噪声仪、电源，其中处理器的第一信号输出/输入端与探针台的信号输入/输出端对应相接，处理器的第二信号输出/输入端与噪声仪的信号输入/输出端...; 陆海燕王维波程伟郭方金孔月婵陈堂胜; 文献传递

一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑被引量：2: 2018年; GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.; 韩克锋蒋浩秦桂霞孔月婵; 关键词：大信号模型非线性收敛性

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制被引量：2: 2021年; 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。; 薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵; 关键词：电荷控制模型

一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法: 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：(1)生长介质层；(2)制作欧姆接触窗口；(3)制作欧姆接触通孔；(4)制作扩散层；(5)生长介质层；(6)扩散；(7)刻...; 孔岑周建军孔月婵郁鑫鑫郁元卫; 文献传递

AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究被引量：3: 2004年; 利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立陷阱中心 .结果指出 :AlN层中存在Et-Ev=2 5 5eV的分立陷阱中心 ;AlN_Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布 ,带中央态密度最低 ,Nss为 8× 10 1 1 eV- 1 cm- 2 ,对应的时间常数τ为 8× 10 - 4s ,俘获截面σn 为 1 5 8× 10 - 1 4cm2 ;在AlN界面层存在三种陷阱态。; 周春红郑有炓邓咏桢孔月婵陈鹏席冬娟顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅; 关键词：SI(111)AIN 界面电荷金属有机化学气相沉积能隙态密度