郭伟
- 作品数：7 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
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- 玻璃封帽内部水汽控制技术
- 2014年
- 重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(CerQFP64)封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性,通过采用特殊的高温烘烤处理措施,使采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(尤其对超过保质期的外壳)封装的电路内部水汽由原来的>5 000×10-6,降低到2 000×10-6以下。
- 郭伟陈陶
- 关键词：气密性封装内部水汽含量
- 气密性陶瓷封装PIND失效分析及解决方案被引量：11
- 2007年
- 气密性陶瓷封装腔体内的自由粒子会严重影响到器件的可靠性。减少封装腔体内自由粒子数量,提高PIND合格率是气密性封装的主要技术之一。文章就陶瓷外壳封装集成电路PIND失效进行了分析,指出其主要原因,如外壳内部有瓷颗粒、芯片边缘未脱落的硅碴(屑)、芯片边沿的粘接材料卷起、脱落的粘接材料碎片、键合丝(或尾丝)、悬伸的合金焊料、封帽飞溅的合金焊料、平行缝焊打火飞溅的焊屑等,并提出了在封装工艺过程中如何对可能产生自由粒子的因素采取有效预防措施。最终使电路的粒子碰撞噪声检测合格品率达到98%以上,达到实际应用要求。
- 郭伟葛秋玲
- 关键词：噪声
- 封装腔体内氢气含量控制被引量：14
- 2012年
- 目前,对密封腔体内的水汽、二氧化碳、氧气含量的研究比较多,内部水汽含量控制在≤5 000 ppm、氧气控制在≤2 000 ppm、二氧化碳控制在≤4 000 ppm、氦气控制在≤1 000 ppm的密封工艺技术已解决[9],氢气含量控制的研究则未见报道。对于一些气密性要求高的封装应用领域,还需要控制氢气含量,如MEMS、GaAs电路等。分析了平行缝焊、Au80Sn20合金封帽的导电胶、合金烧结的器件的内部氢气含量,并分析了125℃168 h和125℃1 000 h贮存前后氢气含量的变化情况;在试验的基础上,提出了氢气的主要来源和针对性的工艺措施,并取得了期望的结果:密封器件经过125℃、1 000 h贮存后的氢气含量也能控制在≤4 000 ppm。
- 丁荣峥李秀林明雪飞郭伟王洋
- 关键词：气密封装氢气含量
- 气密性封装中键合引线的强度分析
- 本文对气密性封装中键合引线的强度，包括影响键合引线抗拉强度的因素，恒定加速度，热循环，振动和冲击试验对引线可能造成的影响进行了简要的分析。在键合强度测试以及封装设计中充分考虑以上因素的影响将有利于减少元器件由于键合引线所...
- 黄强郭伟郭大琪丁荣峥
- 关键词：气密性封装抗拉强度封装设计
- 文献传递
- 镀金盖板上的绿激光标识技术被引量：2
- 2014年
- 镀金盖板广泛用于军品集成电路的气密性封装中,其表面标识通常采用油墨移印工艺,但油墨移印的标识在筛选或考核过程中有时存在部分脱落的风险,造成鉴定难以通过。在镀金盖板上的绿激光标识技术,不仅解决了镀金盖板标识脱落的问题,而且解决了高可靠集成电路镀金盖板表面标识产品序列号的工艺难题。激光标识后的样品,顺利通过了按GJB548B要求进行的温度循环、热冲击、耐溶剂和盐雾等可靠性试验。对镀金盖板的激光标识区域进行了电镜扫描和解剖分析的结果表明,标识区域镀金层成份和金层厚度基本没有变化。
- 郭伟
- 关键词：气密性封装盐雾试验
- 塑封集成电路的抗潮湿性研究被引量：8
- 2005年
- 本文介绍了影响塑封集成电路抗潮湿性的主要因素,塑封集成电路潮湿失效的几种类型,提高集成电路抗潮湿性的办法,并介绍了提高集成电路抗潮湿性的实验。实验结果说明,塑封料是影响集成电路抗潮湿性能的最重要因素之一。
- 郭伟葛秋玲
- 关键词：塑封集成电路
- 聚酰亚胺型导电胶装片固化工艺的研究被引量：3
- 2003年
- 本文讨论了聚酰亚胺型导电胶在装片固化时可能产生孔洞的类型及机理,在些基础上确定了随芯片尺寸的增大需对固化工艺进行相应调整的基本原则,并提出了不同尺寸芯片的固化工艺曲线。
- 黄强陆永超王洋郭伟
- 关键词：封装工艺
