郑中山
- 作品数：32 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- 0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究被引量：5
- 2015年
- 利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关,当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps;当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps.激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄;靠近输入则得到的瞬态波形较宽,单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽.入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响.通过理论分析得到,部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因.而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲,是输出节点电容充放电的结果.
- 赵星梅博毕津顺郑中山高林春曾传滨罗家俊于芳韩郑生
- 关键词：脉冲激光
- 含铁电材料的双埋氧绝缘体上硅FE-DSOI晶圆的制备方法及FE-DSOI器件
- 本发明公开了一种FE‑DSOI晶圆的制备方法及FE‑DSOI器件，其中所述方法包括：提供多个原始晶圆；采用所述原始晶圆制备得到底层晶圆；在所述底层晶圆的表面沉淀铁电材料，得到含铁电材料的底层晶圆；对所述原始晶圆进行热氧化...
- 张铁馨刘凡宇李博郑中山赵发展
- 体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究被引量：4
- 2018年
- 本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍宽,锥形鳍截面形状的FinFET器件对总剂量效应有良好的抑制作用.进一步的Gamma总剂量辐射仿真展示了辐照过程中浅槽隔离(STI)氧化层中陷阱空穴的形成.最后,利用Sentaurus TCAD软件混合仿真模式对电路级别的总剂量响应进行了模拟分析,结果表明电路的性能和可靠性在总剂量辐照之后均受到了极大的影响.
- 黄云波李博李博郑中山杨玲郑中山
- 关键词：TCAD
- 一种过渡金属硫化物及其制备方法
- 本发明公开了过渡金属硫化物TMDs的制备方法，包括：在衬底上制备N层过渡金属硫化物，获得待处理样品；N≥2且为整数；对所述待处理样品进行粒子辐照。上述方法能够提高多层TMDs的发光效率。
- 朱慧平熊国栋李博王磊郑中山李梦达
- 应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究
- 研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电...
- 郑中山刘忠立张国强李宁李国花张恩霞张正选王曦
- 关键词：SIMOX材料抗辐射加固
- 文献传递
- 一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法
- 本发明公开一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法，方法包括：在第一半导体衬底上制备第一介质埋层，在第二半导体衬底上制备第二介质埋层；在第一介质埋层上制备高k介质层；叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层，形成绝缘...
- 郑中山朱慧平孔延梅李多力李博罗家俊韩郑生焦斌斌
- 文献传递
- 简易谐振动装置及其应用被引量：1
- 1994年
- 介绍了一种用微型直流电动机自制的谐振动装置。用此装置可演示驻波现象和水波的干涉，还可用来测量微电机的转速。
- 郑中山
- 关键词：微电机驻波
- MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线
- 1989年
- 本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。
- 刘可辛罗升旭郑中山王继春王子建
- 关键词：MOS结构准静态C-V测量
- 一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置
- 本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；...
- 周润发李博宿晓慧任洪宇郑中山卜建辉赵发展
- 用于伪MOS表征的DSOI晶圆制备方法
- 本发明公开了一种用于伪MOS表征的DSOI晶圆制备方法，所述方法包括：提供多个原始晶圆，分别采用所述原始晶圆制备出对应的底层晶圆和顶层晶圆，采用所述底层晶圆和所述顶层晶圆制备出具备伪MOS表征结构的双埋氧绝缘体上硅DSO...
- 刘凡宇李博张铁馨郑中山赵发展
