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全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究: 本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件...; 王宁娟刘忠立李宁于芳李国花; 关键词：总剂量辐射电学性能; 文献传递

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响被引量：1: 2007年; 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.; 郑中山张恩霞刘忠立张正选李宁李国花; 关键词：SIMOX 注氮

注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文): 2007年; 本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要。; 王宁娟刘忠立李宁张国强于芳郑中山李国花; 关键词：SOI MOSFET 离子注入

SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟被引量：2: 2011年; 为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。; 李振涛于芳刘忠立赵凯高见头杨波李宁; 关键词：单粒子翻转静态随机存储器

改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性: 2005年; 利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.; 刘忠立李宁高见头于芳; 关键词：固相外延改性 CMOS器件

高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1: 2011年; 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因.; 唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝; 关键词：注氧隔离注氮

利用固定相移来测量同频信号相位差的方法及电路: 本发明属于信号处理技术领域，特别是一种利用固定相移来测量同频信号相位差的方法及电路。方法包括将两个同频率的正弦信号，即基准信号与测量信号分别经过相同的相移，与原信号一起整形后成为矩形波信号，将得到的两个矩形波信号做异或操...; 鲁华祥马晓燕李宁; 文献传递

利用固定相移来测量同频信号相位差的方法及电路: 本发明属于信号处理技术领域，特别是一种利用固定相移来测量同频信号相位差的方法及电路。方法包括将两个同频率的正弦信号，即基准信号与测量信号分别经过相同的相移，与原信号一起整形后成为矩形波信号，将得到的两个矩形波信号做异或操...; 鲁华祥马晓燕李宁; 文献传递

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响被引量：6: 2005年; 研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了 .且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率 .随注入剂量的增加 ,迁移率略有上升 ,并趋于饱和 .分析认为 ,电子迁移率的降低是由于Si SiO2界面的不平整造成的 .实验还发现 ,随氮注入剂量的提高 ,nMOSFET的阈值电压往负向漂移 .但是 ,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件 .固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素 .另外发现 ,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件 .; 郑中山刘忠立张国强李宁范楷张恩霞易万兵陈猛王曦; 关键词：SOI 埋氧层 SIMOX 电子迁移率

不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1: 2007年; 研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.; 王宁娟刘忠立李宁于芳李国花; 关键词：SOI 全耗尽总剂量辐射

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李宁