邵菲
- 作品数：11 被引量：26H指数：4
- 供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术机械工程电气工程更多>>
- 有色金属制精密零件的化学去毛刺技术研究被引量：7
- 2010年
- 提出了一种化学去毛刺技术,去毛刺液的组成(质量分数)为70%磷酸+12%草酸+18%水,去毛刺时控制溶液温度在45～60℃、时间为10～45 min即可。运用体视显微镜、扫描电子显微镜、X-ray衍射仪和维氏硬度计等手段考察了此化学去毛刺技术处理有色金属制精密零件的效果,认为此化学去毛刺技术可以达到精度要求、技术要求和质量要求,不改变零件的性能,且具有一定的光亮作用。
- 邵菲陈文革
- 关键词：有色金属去毛刺化学法
- 不锈钢精密零件化学去除毛刺后的组构及硬度被引量：1
- 2011年
- 零件机械加工后表面存在毛刺,影响其质量甚至是使用寿命。研究了一种简单易行的化学去毛刺技术:70%磷酸,12%草酸,18%水;先经17℃,10 min保温处理,然后控温45～60℃,保温10～45 min。运用体视显微镜对不锈钢精密零件化学去毛刺后的状态进行了研究。结果显示:化学去毛刺法效率高,设备简单,可以达到各种精度要求、技术要求和质量要求;不改变零件的性能,且对其表面还具有一定的光亮作用。
- 邵菲陈文革
- 一种精密零件机械加工中毛刺去除的方法
- 本发明公开了一种精密零件机械加工中毛刺去除的方法，该方法按以下步骤实施，清洗精密零件：用配制好的碱性清洗液清洗精密零件表面；配制去毛刺液：按质量百分比分别称取65％～75％的磷酸、10％～15％的草酸和余量的水，总质量百...
- 陈文革邵菲
- 文献传递
- 精密机械零件表面化学改性和毛刺表征的研究
- 随着科技的发展，尤其是制造业的发展，机械制造零件尺寸更小，集成化程度更高，更加精密，并且对零件的相关使用性能也要求越来越高。而对于零件的去毛刺，尤其是对精密零件及超精密零件来说至关重要。因为毛刺的去除，可提高工件的加工精...
- 邵菲
- 关键词：表面化学改性表面处理
- 文献传递
- 精密机械零件毛刺的表征研究被引量：1
- 2013年
- 针对精密零件在机械加工过程中及后续使用中遗留毛刺无统一表征问题,采用LEDCA DCM3D型白光干涉仪测量零件毛刺去除前后的形态,一方面从表面形貌三维图和零件横纵方向截面图定性表示毛刺去除与否及去除情况;另一方面从毛刺幅度参数、毛刺空间参数等参数定量表征毛刺去除与否。
- 卓磊陈文革邵随拓邵菲马积孝
- 关键词：毛刺
- 录井钢丝断裂的失效分析被引量：2
- 2011年
- 针对录井钢丝的断裂原因,对事故钢丝和未使用钢丝进行宏观形貌和金相组织的对比分析,对钢丝表面的点蚀坑进行能谱分析,对断口进行扫描电镜分析。结果表明,油井中的钢丝表面腐蚀坑和裂纹源区均含有Cl元素,腐蚀介质是引起钢丝断裂的主要原因。在腐蚀性介质和外加载荷的双重作用下,裂纹持续扩展,直至发生疲劳断裂。
- 罗启文邵菲司鲜娥
- 铬青铜和铜铬锆热处理前后的显微组织被引量：5
- 2011年
- 采用高分辨的透射电子显微镜分析铬青铜和铜铬锆在固溶时效处理前后的显微组织。结果表明,铬青铜和铜铬锆合金在固溶时溶解于铜基体的强化相Cr在时效后弥散均匀分布在基体Cu上。铬与铜没有中间相或化合物形成,铜铬锆固溶时效处理后组织中的析出相要比铬青铜组织中的析出相尺寸小,铜铬锆晶界处偏聚的析出相尺寸也比铬青铜晶界处的析出相小,而且添加锆所构成的铜合金则有Cu5Zr相的析出。
- 陈文革李永华邵菲丁秉均
- 关键词：固溶时效处理铬青铜
- 热化学共还原法制备W包覆Cu纳米复合粉体(英文)被引量：6
- 2012年
- 采用两种粒径的氧化铜粉末和粒径为1.5μm的三氧化钨粉末来制备高纯度的CuWO4粉末,分别通过控制CuWO4粉末在360和750℃两个阶段的氢气还原作用,制备出钨包覆铜纳米复合粉体。复合粉体的微观形貌,组织结构与颗粒尺寸采用扫描电子显微镜(SEM),X线衍射分析仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行测试,激光粒度测试仪(LPSA)用来测试CuWO4粉末的粒度。由小粒度CuWO4粉末制备出的钨包覆铜纳米复合粉体的钨包覆层厚度小,氢气还原制备的钨包覆铜复合粉体的平均粒径约50nm。
- 李君强陈文革陶文俊邵菲丁秉均
- 关键词：纳米W-CU
- 一种精密零件机械加工中毛刺去除的方法
- 本发明公开了一种精密零件机械加工中毛刺去除的方法，该方法按以下步骤实施，清洗精密零件：用配制好的碱性清洗液清洗精密零件表面；配制去毛刺液：按质量百分比分别称取65％～75％的磷酸、10％～15％的草酸和余量的水，总质量百...
- 陈文革邵菲
- 文献传递
- 磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究被引量：5
- 2012年
- 采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8～1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想。
- 陈文革张剑熊斐邵菲
- 关键词：磁控溅射
